[实用新型]一种稳压器有效

专利信息
申请号: 202021196716.0 申请日: 2020-06-24
公开(公告)号: CN212623800U 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 杨从朔;尹喜珍 申请(专利权)人: 上海芯跳科技有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 上海融力天闻律师事务所 31349 代理人: 李浩
地址: 201199 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 稳压器
【权利要求书】:

1.一种稳压器,其特征在于,包括:

偏置电路,包括一个第一输出端和一个第二输出端,用于将输入电压转换为第一偏置电压信号和第二偏置电压信号;

稳压电路,包括第一输入端、第二输入端和第三输出端,所述第一输入端连接所述第一输出端,所述第二输入端连接所述第二输出端,所述稳压电路用于根据所述输入电压、所述第一偏置电压信号和所述第二偏置电压信号输出第一电压信号;

输出电路,包括第三输入端、第四输入端和第四输出端,所述第三输入端连接所述第三输出端,所述第四输入端连接所述第二输出端,所述输出电路用于根据所述输入电压、所述第一电压信号和所述第二偏置电压信号生成第二电压信号,并输出所述第二电压信号。

2.根据权利要求1所述的稳压器,其特征在于,所述偏置电路还包括:

第一PMOS管,所述第一PMOS管的源极与电源端连接,所述第一PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的漏极连接;

第二PMOS管,所述第二PMOS管的源极与所述第一PMOS管的源极和所述电源端连接,所述第二PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极和所述第一PMOS管的漏极;

第一NMOS管,所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的栅极、所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极连接共同形成所述偏置电路的第一输出端;

第二NMOS管,所述第二NMOS管的源极接地,所述第二NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的漏极、所述第一NMOS管的栅极和第二PMOS管的漏极连接共同形成所述偏置电路的第二输出端;

第一电阻,所述第一电阻的一端与所述第一NMOS管的源极连接,所述第一电阻的另一端与所述第二NMOS管的源极连接接地。

3.根据权利要求1所述的稳压器,其特征在于,所述稳压电路还包括:

第三PMOS管,所述第三PMOS管的栅极形成所述稳压电路的第一输入端,所述第三PMOS管的源极与电源端连接;

第三NMOS管,所述第三PMOS管的漏极与所述第三PMOS管的漏极连接,所述第三PMOS管的源极接地;

第四NMOS管,所述第四NMOS管的栅极形成所述稳压电路的第二输入端,所述第四NMOS管的源极接地;

第六NMOS管,所述第六NMOS管的栅极与所述第三PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极连接,所述第六NMOS管的漏极与所述第三PMOS管的源极连接;

第二电阻,所述第二电阻的一端连接所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的漏极,所述第二电阻的另一端与所述第六NMOS管的源极连接共同形成所述稳压电路的第三输出端。

4.根据权利要求1所述的稳压器,其特征在于,所述输出电路还包括:

第五NMOS管,所述第五NMOS管的栅极形成所述输出电路的第四输入端,所述第五NMOS管的源极接地;

第七NMOS管,所述第七NMOS管的栅极形成所述输出电路的第三输入端,所述第七NMOS管的漏极与电源端连接,所述第七NMOS管的源极与所述第五NMOS管的漏极连接共同形成所述输出电路的第四输出端。

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