[实用新型]GaN功率管驱动电路与电子装置

权利要求书

1.一种GaN功率管驱动电路，其特征在于，包括交流驱动单元与直流驱动单元；

所述交流驱动单元的输入侧用于接入第一控制信号，所述交流驱动单元的输出侧连接GaN功率管的栅极；

所述直流驱动单元的输入侧用于接入第二控制信号，所述直流驱动单元的输出侧连接所述GaN功率管的栅极；所述第二控制信号与所述第一控制信号为相同的控制信号，或者：所述第二控制信号是响应于所述第一控制信号的变化而变化的；

所述交流驱动单元用于：

根据所述第一控制信号输出驱动信号至所述GaN功率管的栅极，以驱动所述GaN功率管的开启与关闭；其中，所述驱动信号包括低电平驱动信号与高电平驱动信号；所述驱动信号与所述第一控制信号是同步变化的；

所述直流驱动单元用于：

响应于所述第二控制信号的变化，控制所述高电平驱动信号的电压处于第一电压，以及控制所述低电平驱动信号的电压处于第二电压。

2.根据权利要求1所述的GaN功率管驱动电路，其特征在于，所述直流驱动单元包括第一电压输出模块与切换开关；

所述第一电压输出模块的输出端直接或间接连接所述GaN功率管的栅极；

所述切换开关的第一端连接所述第一电压输出模块的输出端，所述切换开关的第二端直接或间接接地，所述切换开关的控制端接入所述第二控制信号。

3.根据权利要求2所述的GaN功率管驱动电路，其特征在于，所述第二控制信号为将所述第一控制信号反相后得到的信号。

4.根据权利要求2所述的GaN功率管驱动电路，其特征在于，所述直流驱动单元还包括延时器件；

所述切换开关的控制端连接所述延时器件；

所述延时器件用于将所述第二控制信号延迟后反馈至所述切换开关。

5.根据权利要求2所述的GaN功率管驱动电路，其特征在于，所述第一电压输出模块包括电压跟随器，所述电压跟随器的正相输入端接入参考电压，所述电压跟随器的反相输入端连接所述电压跟随器的输出端，所述电压跟随器的输出端连接至所述GaN功率管的栅极与所述切换开关的第一端，所述第一电压与所述参考电压匹配。

6.根据权利要求1至5任一项所述的GaN功率管驱动电路，其特征在于，所述交流驱动单元包括第一开关管、第二开关管、反相器与耦合电容；

所述第一开关管的第一端连接电源，所述第一开关管的第二端连接所述第二开关管的第一端，所述第二开关管的第二端接地，所述第一开关管的控制端用于接入所述第一控制信号，所述反相器的输入侧接入所述第一控制信号，所述第二开关管的控制端连接所述反相器的输出侧；

所述耦合电容的第一端连接于所述第一开关管的第二端与所述第二开关管的第一端之间，所述耦合电容的第二端连接所述GaN功率管的栅极，以输出所述驱动信号。

7.根据权利要求6所述的GaN功率管驱动电路，其特征在于，所述交流驱动单元还包括放大器，所述放大器的输入侧接入所述第一控制信号，所述放大器的输出侧连接所述第一开关管的控制端，以将放大后的第一控制信号输入至所述第一开关管的控制端。

8.根据权利要求1至5任一项所述的GaN功率管驱动电路，其特征在于，还包括电阻，所述电阻的一端直接或间接连接所述GaN功率管的栅极，所述电阻的另一端直接或间接接地，其中，所述GaN功率管的导通速度和/或关断速度关联于所述电阻的阻值。

9.根据权利要求8所述的GaN功率管驱动电路，其特征在于，所述电阻与所述GaN功率管的栅极之间还设有二极管；

所述二极管的正极连接所述GaN功率管的栅极，或者：所述二极管的负极连接所述GaN功率管的栅极。

10.根据权利要求1至5任一项所述的GaN功率管驱动电路，其特征在于，还包括钳位保护单元，所述钳位保护单元连接所述GaN功率管的栅极，以在所述GaN功率管的栅极的电压高于安全阈值时，控制所述GaN功率管的栅极接地。