[实用新型]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，其特征在于，所述发光装置包括：

一基板；

一发光二极管模块，其设置于所述基板上，所述发光二极管模块朝所述基板的方向的正投影呈长方形并具有一中心点；以及

一对称透镜，设置于所述基板上并覆盖所述发光二极管模块，所述对称透镜具有一光轴，所述光轴通过所述发光二极管模块朝所述基板的方向的所述中心点；

其中，所述发光二极管模块发射的光束通过所述对称透镜能产生一类长方形光型。

2.依据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光二极管模块包含呈长方形的至少一个芯片，至少一个所述芯片具有长边及短边，所述长边与所述短边的长度比值为1.25至6.6倍。

3.依据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，至少一个所述芯片的数量为多个，多个所述芯片数组排列呈长方形。

4.依据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，多个所述芯片彼此间隔配置，任两个所述芯片之间具有一间隔距离，所述间隔距离介于0.05毫米至0.3毫米之间。

5.依据权利要求2至4任一项所述的发光装置，其特征在于，所述发光二极管模块包含一扩散件，所述扩散件设置于至少一个所述芯片上，所述发光二极管模块由其顶面所发出的所述光束将通过所述扩散件而向外射出。

6.依据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述对称透镜具有一半径及一高度，所述半径与所述高度的比值为0.3至2倍。

7.依据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，所述半径的长度介于0.5毫米至5毫米之间。

8.依据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述基板具有一凹槽，所述发光二极管模块设置于所述凹槽内，所述凹槽的高度大于所述发光二极管模块的高度，所述对称透镜设置于所述发光二极管模块的一侧且覆盖所述凹槽。

9.依据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述对称透镜不包含光转换物质或扩散粒子。

10.依据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述对称透镜的透明度大于85％。

11.依据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述类长方形光型具有一长轴及一短轴，所述长轴的最大光强度的绝对值介于40度至50度之间。

12.依据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述类长方形光型具有一长轴及一短轴，当所述长轴的光强度及所述短轴的光强度位于0度的角度时，所述长轴的光强度及所述短轴的光强度介于0.8至1之间。

13.依据权利要求12所述的发光装置，其特征在于，所述长轴的光强度具有一长轴半高全宽，所述短轴的光强度具有一短轴半高全宽，所述长轴半高全宽与所述短轴半高全宽的比值介于1.05至1.8之间。