[实用新型]过压和浪涌保护电路以及电子设备有效

专利信息
申请号: 202021191179.0 申请日: 2020-06-23
公开(公告)号: CN212380941U 公开(公告)日: 2021-01-19
发明(设计)人: 王雪 申请(专利权)人: 无锡闻泰信息技术有限公司
主分类号: H02H9/02 分类号: H02H9/02;H02H9/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 214000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 浪涌 保护 电路 以及 电子设备
【权利要求书】:

1.一种过压和浪涌保护电路,其具有接收输入电压的第一端和生成输出电压的第二端,其特征在于,所述保护电路包括稳压管、分压电路、第一电子开关、第二电子开关、第三电子开关以及第三电阻和第四电阻,所述稳压管的正极接地,所述稳压管的负极连接至所述第一端;所述第三电子开关的控制端通过分压电路连接至第一端,所述第三电子开关的输入端连接至第二电子开关的控制端,所述第三电子开关的输出端以及第二电子开关的输出端均接地,所述第三电阻的一端连接至第一端,所述第三电阻的另一端连接至第二电子开关的控制端,所述第二电子开关的输入端通过第四电阻连接至第一电子开关的控制端,所述第一电子开关的输入端和输出端分别连接至第一端和第二端。

2.如权利要求1所述的保护电路,其特征在于,所述第一电子开关、第二电子开关以及第三电子开关均为三极管、MOS管、继电器、以及可控硅中的任一种。

3.如权利要求2所述的保护电路,其特征在于,所述第一电子开关、第二电子开关以及第三电子开关分别为PMOS管Q1、NMOS管Q2以及NMOS管Q3;所述第一电子开关的控制端、输入端和输出端分别对应PMOS管Q1的栅极、源极和漏极;所述第二电子开关的控制端、输入端和输出端分别对应NMOS管Q2的栅极、漏极和源极;所述第三电子开关的控制端、输入端和输出端分别对应NMOS管Q3的栅极、漏极和源极。

4.如权利要求1-3任一项所述的保护电路,其特征在于,所述分压电路包括第一电阻和第二电阻,所述第一电阻和第二电阻串联后的一端连接至所述第一端,所述串联后的另一端接地,所述第三电子开关的控制端连接至第一电阻和第二电阻之间。

5.如权利要求1-3任一项所述的保护电路,其特征在于,所述保护电路还包括滤波电路,所述滤波电路的一端连接至第一电子开关的输出端和第二端之间,所述滤波电路的另一端接地。

6.如权利要求5所述的保护电路,其特征在于,所述滤波电路包括一个或多个滤波电容,当采用多个滤波电容时,所述多个滤波电容并联后的一端连接至第一电子开关的输出端和第二端之间,所述并联后的另一端接地。

7.一种电子设备,其特征在于,其包括电源、电子设备本体以及权利要求1-6任一项所述的保护电路,所述第一端连接至所述电源,所述第二端连接至所述电子设备本体。

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