[实用新型]一种等离子体增强化学气相沉积设备

说明书

本实用新型提供一种等离子体增强化学气相沉积设备。本实用新型提供的等离子体增强化学气相沉积设备，包括反应腔，还包括设置在反应腔内的第一电极、第二电极和遮蔽框组件，第一电极的上表面具有承载区，待沉积薄膜的基板放置于承载区上，遮蔽框组件覆盖第一电极的位于基板外围的区域，且遮蔽框组件的内缘伸入至基板和第一电极之间，第二电极对应设置在第一电极的上方。本实用新型的等离子体增强化学气相沉积设备，能够减小成膜区域的局限性，满足产品的窄边框化发展需求。

技术领域

本实用新型涉及等离子体处理技术领域，尤其涉及一种等离子体增强化学气相沉积设备。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，简称：PECVD)系统是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，并利用等离子体化学活性强而很容易发生反应的特性，在基板上沉积出所期望的薄膜。

等离子体化学气相沉积利用低温等离子体作为能量源，基板置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电或另外设置发热体使基板升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体通过一系列的化学反应和等离子体反应，从而在基板表面形成固态薄膜。PECVD设备的腔室内通常设置有遮蔽框，遮蔽框的内边缘搭接在基板上，通过遮蔽框遮盖支撑在基板下方的电极中未被基板覆盖的区域，以免电极遭受等离子体的轰击而引发异常放电，避免对电极造成破坏性影响。

但是，由于遮蔽框的限制，致使基板成膜时无法进行整面成膜，基板的被遮蔽框覆盖的边缘区域无法成膜，这在一定程度上对窄边框及拼接型产品的开发造成局限。

实用新型内容

本实用新型提供一种等离子体增强化学气相沉积设备，能够减小成膜区域的局限性，满足产品的窄边框化发展需求。

本实用新型提供一种等离子体增强化学气相沉积设备，该设备包括反应腔，还包括设置在反应腔内的第一电极、第二电极和遮蔽框组件，第一电极的上表面具有承载区，待沉积薄膜的基板放置于承载区上，遮蔽框组件覆盖第一电极的位于基板外围的区域，且遮蔽框组件的内缘伸入至基板和第一电极之间，第二电极对应设置在第一电极的上方。

在一种可能的实施方式中，遮蔽框组件包括遮蔽内框和遮蔽外框，遮蔽内框的内缘伸入至基板和第一电极之间，遮蔽外框的内缘与遮蔽内框的外缘连接。

在一种可能的实施方式中，遮蔽内框连接在第一电极上，遮蔽外框的内缘搭接在遮蔽内框上。

在一种可能的实施方式中，遮蔽内框与基板之间的重叠区域的宽度范围为4-8mm。

在一种可能的实施方式中，遮蔽内框为陶瓷材质，遮蔽外框为金属材质。

在一种可能的实施方式中，第一电极的上表面覆盖有绝缘膜，遮蔽外框的上表面也覆盖有绝缘膜。

在一种可能的实施方式中，绝缘膜的厚度为10-50μm。

在一种可能的实施方式中，该设备还包括气体扩散器，气体扩散器位于第一电极上方，且安装于第二电极下部。

在一种可能的实施方式中，遮蔽外框的外缘与反应腔的内侧壁之间具有8-12mm的间隙。

在一种可能的实施方式中，该设备还包括支撑部，支撑部设置在反应腔的内侧壁上，且支撑部位于遮蔽外框的朝向第一电极的一侧，支撑部用于在第一电极向背离第二电极的方向移动时支撑遮蔽外框。