[实用新型]一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片

权利要求书

1.一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片，其特征在于，包括生长在Si衬底上的AlN缓冲层，生长在所述AlN缓冲层上的GaN缓冲层，生长在所述GaN缓冲层上的AlGaN缓冲层，生长在所述AlGaN缓冲层上的非掺杂AlGaN层，生长在所述非掺杂AlGaN层上的n型掺杂AlGaN层，生长在所述n型掺杂AlGaN层上的AlGaN多量子阱层，生长在所述AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层，生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂GaN薄膜；

所述GaN缓冲层的上部形成有阵列排布的第一沟槽；

所述AlGaN缓冲层的下部沉积在所述第一沟槽内，所述AlGaN缓冲层的上部形成有阵列排布的第二沟槽；所述第一沟槽和所述第二沟槽在垂直方向上不重叠；

所述非掺杂AlGaN层的下部沉积在所述第二沟槽内。

2.如权利要求1所述的生长在Si衬底上的紫外LED外延片，其特征在于，所述第一沟槽为顶部宽度大于底部宽度的第一梯形条纹沟槽，所述第一梯形条纹沟槽的深度为50～80nm，顶部宽度为100～200nm，底部宽度为50-100nm，间隔为100～200nm。

3.如权利要求1所述的生长在Si衬底上的紫外LED外延片，其特征在于，所述第二沟槽为顶部宽度大于底部宽度的第二梯形条纹沟槽，所述第二梯形条纹沟槽的深度为100～150nm，顶部宽度为100～200nm，底部宽度为50～100nm，间隔为100～200nm。

4.如权利要求1所述的生长在Si衬底上的紫外LED外延片，其特征在于，所述Si衬底为Si(111)晶向衬底；所述AlN缓冲层厚度为5～50nm；所述GaN缓冲层的厚度为100～300nm；所述AlGaN缓冲层的厚度为300～500nm；所述非掺杂AlGaN层的厚度为500～800nm。

5.如权利要求1所述的生长在Si衬底上的紫外LED外延片，其特征在于，所述n型掺杂AlGaN层掺杂有Si，Si掺杂浓度为1×10¹⁷～1×10²⁰cm^-3，所述n型掺杂AlGaN层的厚度为3～5μm。

6.如权利要求1所述的生长在Si衬底上的紫外LED外延片，其特征在于，所述AlGaN多量子阱层为7～10个周期的Al_0.1Ga_0.9N阱层和Al_0.25Ga_0.75N垒层，其中Al_0.1Ga_0.9N阱层的厚度为2～3nm，Al_0.25Ga_0.75N垒层的厚度为10～13nm。

7.如权利要求1所述的生长在Si衬底上的紫外LED外延片，其特征在于，所述电子阻挡层为Al_0.15Ga_0.85N电子阻挡层，所述电子阻挡层的厚度为20～50nm。

8.如权利要求1所述的生长在Si衬底上的紫外LED外延片，其特征在于，所述p型掺杂GaN薄膜的厚度为300～350nm。