[实用新型]一种超低功耗喷射型熔断器位置信号检测电路及装置

权利要求书

1.一种超低功耗喷射型熔断器位置信号检测电路，其特征是：包括电源控制电路、红外发射电路和红外接收电路，所述电源控制电路连接单片机并由所述单片机控制导通，所述红外发射电路和所述红外接收电路分别连接到所述电源控制电路的输出端，所述红外发射电路连接所述单片机并由所述单片机启动红外发射管，所述红外接收电路连接所述单片机并由所述单片机接收红外接收管的检测结果信号。

2.根据权利要求1所述的一种超低功耗喷射型熔断器位置信号检测电路，其特征是：所述电源控制电路包括电阻R1、MOS管Q1、电容C1以及电容C2，所述MOS管Q1的门极连接所述单片机的引脚HW_PWR_CTL，所述MOS管Q1的源极连接电源VCC，所述电阻R1串联在所述MOS管Q1的门极和源极之间，所述电容C1串联在所述MOS管Q1的漏极和地GND之间，所述电容C2与所述电容C1并联，所述MOS管Q1的漏极和电源VCC_HW连接。

3.根据权利要求2所述的一种超低功耗喷射型熔断器位置信号检测电路，其特征是：所述红外发射电路包括电阻R2、电阻R3、MOS管Q2、电容C3和红外发射管U2，所述MOS管Q2的门极连接单片机的引脚IR-SEND，所述MOS管Q2的源极连接所述电源VCC_HW，所述电阻R2串联在所述MOS管Q2的门极和源极之间，所述电阻R3串联在所述MOS管Q2的漏极和所述红外发射管U2正极之间，所述红外发射管U2的负极接地GND，所述电容C3与所述红外发射管U2并联。

4.根据权利要求3所述的一种超低功耗喷射型熔断器位置信号检测电路，其特征是：所述红外接收电路包括电阻R4、电阻R5、电解电容C4和红外接收管U3，所述电解电容C4的正极连接所述红外接收管U3的VS脚，所述电解电容C4的负极连接地GND，所述电阻R4串联在所述红外接收管U3的VS脚和所述电源VCC_HW之间，所述电阻R5串联在所述红外接收管U3的OUT脚和所述电源VCC_HW之间，所述红外接收管U3的GND脚连接地GND。

5.一种超低功耗喷射型熔断器位置信号检测装置，其特征是：包括喷射型熔断器(1)、环形线路板(2)、红外发射管(3)以及红外接收管；所述环形线路板(2)固定的配置于喷射型熔断器(1)的底环内部，所述红外发射管(3)和所述红外接收管分别固定在所述环形线路板(2)的环内，所述红外发射管(3)和所述红外接收管相对。

6.根据权利要求5所述的一种超低功耗喷射型熔断器位置信号检测装置，其特征是：所述红外发射管(3)和所述红外接收管位于所述环形线路板(2)的一条过圆心的直线上。

7.根据权利要求5所述的一种超低功耗喷射型熔断器位置信号检测装置，其特征是：所述环形线路板(2)的最高处低于所述喷射型熔断器(1)中的熔丝组件(11)的底部。