[实用新型]一种ADC复用电路

权利要求书

1.一种ADC复用电路，其特征在于，包括：

一MCU电路，其第三PIN为低电平输出，其第四PIN为高电平输出；

第一电路，与所述MCU电路的VCC端和所述第三PIN输出端连接，其电路中通过一第一元件设置的高电平端口和低电平端口形成不导通电路，其电路中设置的一与第一元件电连接的第二元件，通过第二元件的栅极和漏极的电压相同形成断开的无压差电路；

第二电路，与所述第一电路连接，所述第二电路包括由多个串联的电阻组成的电阻组，该电阻组一端接入所述第二元件的漏极，其每两个相邻串联的电阻之间的电路节点上以及最后的一个电阻外端连接有开关；

第三电路，与所述第二电路连接、与所述MCU电路的第二PIN连接以及与所述第四PIN连接，其电路中通过一第三元件设置的两个高电平端口形成导通电路，其电路中设置的一与第三元件电连接的第四元件，通过第四元件的栅极和漏极的电压不同形成导通的压差电路，第二PIN为ADC采样电路。

2.根据权利要求1所述的一种ADC复用电路，其特征在于，所述第一电路包括NPN型三极管Q3、第一PMOS管Q1、电阻R8、电阻R9、电阻R1、电阻R7，所述NPN型三极管Q3为第一元件，所述第一PMOS管Q1为第二元件，所述NPN型三极管Q3的基极连接电阻R8和电阻R9，所述电阻R8的另一端接入所述MCU电路的第三PIN输出端，所述电阻R9的另一端连接所述NPN型三极管Q3的发射极并接地，所述NPN型三极管Q3的集电极为高电平，其基极为低电平，此时，所述NPN型三极管Q3不导通，其集电极与一第一PMOS管Q1的栅极连接，所述第一PMOS管Q1的栅极与漏极电压相同形成断开的无压差电路，所述第一PMOS管Q1的栅极还连接有所述电阻R7，所述电阻R7的另一端连接所述电阻R1、所述第二电路以及所述第一PMOS管Q1的漏极。

3.根据权利要求2所述的一种ADC复用电路，其特征在于，所述第三电路包括NPN型三极管Q4、第二PMOS管Q2、电阻R10、电阻R11、电阻R13、电阻R12、电阻R14以及电容C1，所述NPN型三极管Q4为第三元件，所述第二PMOS管Q2为第四元件，所述NPN型三极管Q4的基极连接电阻R10和电阻R11，所述电阻R10的另一端接入所述MCU电路的第四PIN输出端，所述电阻R11的另一端连接所述NPN型三极管Q4的发射极并接地，所述NPN型三极管Q3的集电极为高电平，其基极为高电平，此时，所述NPN型三极管Q4的电路导通，其集电极与一第二PMOS管Q2的栅极连接，所述第二PMOS管Q2的栅极与漏极电压不同形成导通的压差电路，所述第二PMOS管Q2的栅极还连接有所述电阻R12，所述电阻R12的另一端连接所述电阻R13、电阻R14以及所述第二PMOS管Q2的漏极，所述电阻R13的另一端接入电源的VCC端，所述电阻R14的另一端接地。

4.根据权利要求3所述的一种ADC复用电路，其特征在于，所述第二PMOS管Q2的源极与所述第二元件的源极连接，其电路之间的节点上连接所述电容C1以及所述MCU电路的第二PIN，所述电容C1的另一端接地。

5.根据权利要求1所述的一种ADC复用电路，其特征在于，所述电阻组包括有五个串联的电阻。