[实用新型]一种经时击穿测试结构有效
申请号: | 202021108276.9 | 申请日: | 2020-06-15 |
公开(公告)号: | CN212570930U | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 王志强 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 柳虹 |
地址: | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 击穿 测试 结构 | ||
1.一种经时击穿测试结构,其特征在于,用于测试不同温度下金属间介质层的经时击穿参数,包括:测试模块和加热模块;
所述测试模块位于所述加热模块上;所述加热模块用于对所述测试模块加热;
所述测试模块的第一端连接第一电压,所述测试模块的第二端连接第二电压,所述第一电压大于所述第二电压;
所述测试模块,用于测试所述金属间介质层的经时击穿参数。
2.根据权利要求1所述的结构,其特征在于,所述测试结构至少包括第一金属和第二金属,所述第一金属和所述第二金属相互平行相对设置;
则所述测试结构的第一端连接第一电压,所述测试结构的第二端连接第二电压具体为:
所述第一金属连接第一电压,所述第二金属连接第二电压,所述第二金属用于获取所述测试结构的温度。
3.根据权利要求2所述的结构,其特征在于,所述第一金属包括第一衬垫和至少一个第一金属层,每个所述第一金属层均平行相对且与所述第一衬垫垂直连接;
所述第二金属包括第二衬垫和至少两个第二金属层,每个所述第二金属层均平行相对且通过所述第二衬垫串联连接;
所述第一金属和所述第二金属平行相对具体为:
所述第一衬垫与所述第二衬垫平行相对,每个所述第一金属层平行镶嵌于对应的两个所述第二金属层中。
4.根据权利要求3所述的结构,其特征在于,所述测试结构包括第三金属;所述第三金属与所述第一金属和所述第二金属相互平行相对设置,且所述第二金属位于所述第一金属和所述第三金属之间;
则所述测试结构的第一端连接第一电压,所述测试结构的第二端连接第二电压具体为:
所述第一金属和所述第三金属均连接所述第一电压,所述第二金属连接所述第二电压。
5.根据权利要求4所述的结构,其特征在于,所述第三金属包括第三衬垫和至少一个第三金属层,每个所述第三金属层均平行相对且与所述第三衬垫垂直连接;
所述第三金属与所述第一金属和所述第二金属相互平行相对设置,且所述第二金属位于所述第一金属和所述第三金属之间,具体为:
所述第三衬垫与所述第一衬垫和所述第二衬垫平行相对,每个所述第三金属层与对应的所述第一金属层和所述第二金属层平行镶嵌,所述第二金属层位于所述第一金属层和所述第三金属层之间。
6.根据权利要求5所述的结构,其特征在于,所述测试结构的第一端连接第一电压,所述测试结构的第二端连接第二电压,包括:
所述第一衬垫与所述第三衬垫均连接所述第一电压,所述第二衬垫连接所述第二电压。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的结构,其特征在于,所述加热模块为电阻。
8.根据权利要求7所述的结构,其特征在于,所述电阻为多晶硅网格电阻。
9.根据权利要求1-6中任意一项所述的结构,其特征在于,所述加热模块的面积大于所述测试模块的面积。
10.根据权利要求1-6中任意一项所述的结构,其特征在于,所述测试结构位于晶圆的切割道中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造