[实用新型]载具有效

专利信息
申请号: 202021106694.4 申请日: 2020-06-16
公开(公告)号: CN212425452U 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 彭海琳;王可心;杨皓;王雄彪;曹风;武钦慈;刘忠范 申请(专利权)人: 北京石墨烯研究院;北京大学
主分类号: C01B32/186 分类号: C01B32/186
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 赵新龙;阚梓瑄
地址: 100095 北京市海淀区苏家*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 载具
【说明书】:

实用新型提供一种载具,应用于利用PECVD制备石墨烯的装置中,该装置包括两个相对设置的极板以及生长基底,载具包括套筒、多个第一支撑部和多个第二支撑部,套筒呈中空结构;多个第一支撑部设于套筒内,且沿垂直于极板的方向间隔设置;多个第二支撑部设于套筒内,且沿垂直于极板的方向间隔设置;每个极板的相对两侧能分别搭接于多个第一支撑部的其中一个上和多个第二支撑部的其中一个上,两个极板平行设置;生长基底的相对两侧能分别搭接于多个第一支撑部的另一个上和多个第二支撑部的另一个上,且生长基底位于两个极板之间。

技术领域

本实用新型总体来说涉及石墨烯制备技术领域,具体而言,涉及一种应用于利用PECVD制备石墨烯的装置中的载具。

背景技术

石墨烯是一种碳原子构成的单原子层的二维原子晶体材料,具有优异的光电特性,在材料、能源等诸多领域有着广泛的应用前景。

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备方法是采用射频等离子体辅助进行化学气相沉积制备石墨烯的方法,该方法利用等离子体对前驱体分子进行有效裂解,降低了化学反应的势垒,使整个反应体系在较低温度条件下实现成膜反应。

PECVD制备石墨烯的方法中的等离子体是在两个极板之间激发产生的,故两个极板支撑固定效果的优劣对于石墨烯质量起到很大的影响作用。现有技术中均是采用两组支撑机构,分别支撑极板和生长基底,这样导致整体结构复杂,且不便于操作。

在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解,因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

本实用新型的一个主要目的在于提供一种载具,能同时支撑极板和生长基底,以解决现有技术中存在的结构复杂且不便于操作的问题。

为实现上述实用新型目的,本实用新型采用如下技术方案:

根据本实用新型的一个方面,提供一种载具,应用于利用PECVD制备石墨烯的装置中,所述装置包括两个相对设置的极板以及生长基底,所述载具包括套筒、多个第一支撑部和多个第二支撑部,套筒呈中空结构;多个第一支撑部设于所述套筒内,且沿垂直于所述极板的方向间隔设置;多个第二支撑部设于所述套筒内,且沿垂直于所述极板的方向间隔设置;每个所述极板的相对两侧能分别搭接于所述多个第一支撑部的其中一个上和所述多个第二支撑部的其中一个上,两个所述极板平行设置;所述生长基底的相对两侧能分别搭接于所述多个第一支撑部的另一个上和所述多个第二支撑部的另一个上,且所述生长基底位于两个所述极板之间。

根据本实用新型的一些实施方式,所述第一支撑部和所述第二支撑部均呈凸条状。

根据本实用新型的一些实施方式,所述套筒包括相对设置的第一侧壁和第二侧壁;所述多个第一支撑部沿径向向内突出于所述第一侧壁的内表面,所述多个第二支撑部沿径向向内突出于所述第二侧壁的内表面。

根据本实用新型的一些实施方式,多个所述第一支撑部和多个所述第二支撑部一一对应设置。

根据本实用新型的一些实施方式,每两个相邻的所述第一支撑部之间形成第一凹槽,每两个相邻的所述第二支撑部之间形成第二凹槽;

每个所述极板的相对两侧能分别收容于多个所述第一凹槽的其中一个和多个所述第二凹槽的其中一个;所述生长基底的相对两侧能分别收容于多个所述第一凹槽的另一个和多个所述第二凹槽的另一个。

根据本实用新型的一些实施方式,所述第一凹槽在垂直于所述极板的方向上的高度为1mm至10mm,所述第二凹槽在垂直于所述极板的方向上的高度与所述第一凹槽的高度相同。

根据本实用新型的一些实施方式,所述套筒沿垂直于轴线方向的横截面为矩形。

根据本实用新型的一些实施方式,所述套筒包括相对设置的第一侧壁和第二侧壁,以及相对设置的顶壁和底壁;

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