[实用新型]一种双面散热的半导体堆叠封装结构

说明书

本实用新型公开一种双面散热的半导体堆叠封装结构，该结构包括：金属片；中间载体，其包括第一焊接区和第二焊接区；引线框架，其包括基岛、上层引出管脚和下层引出管脚；第二焊接区通过导电连接件与上层引出管脚电连接；上层芯片，其顶部与金属片连接，上层芯片的底部通过与中间载体连接；上层芯片顶部的电极依次通过金属线、上层外引组件、导电连接件与上层引出管脚电连接；下层芯片，其顶部与中间载体的底部连接，下层芯片的底部与基岛连接；下层芯片的顶部的电极通过金属线与下层引出管脚电连接；封装体，金属片由封装体的其一侧面露出以用于散热，基岛由封装体的另一侧面露出以用于散热。该堆叠封装结构尺寸减小，制程减少，散热性能良好。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种双面散热的半导体堆叠封装结构。

背景技术

随着半导体工业的发展，半导体产品往小型化发展。堆叠封装结构是将多个半导体封装件依次堆叠以形成的新的封装结构。随着半导体器件小型化高密度的需求不断增长，堆叠封装技术在逻辑电路和存储器集成领域有广泛的应用，是业界内的首选。

但是，目前业内的堆叠封装结构的芯片一般通过环氧树脂封装体向外散热，散热性能较差，如此，堆叠封装结构容易因为内部温度升高而无法良好散热，导致影响堆叠封装结构的功能和使用寿命。

实用新型内容

本实用新型实施例的一个目的在于：提供一种双面散热的半导体堆叠封装结构，其有利于缩小封装结构的尺寸。

本实用新型实施例的又一个目的在于：提供一种双面散热的半导体堆叠封装结构，其减少了制程，可节省生产成本。

本实用新型实施例的另一个目的在于：提供一种双面散热的半导体堆叠封装结构，其增强了封装结构的散热性能。

为达上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种双面散热的半导体堆叠封装结构，包括：

金属片；

中间载体，其包括多组上层外引组件，所述上层外引组件包括设于顶层的第一焊接区，还包括设于底层的并与所述第一焊接区电气连通的第二焊接区；

引线框架，其包括基岛、上层引出管脚和下层引出管脚；所述第二焊接区通过导电连接件与所述上层引出管脚电连接；

至少一上层芯片，所述上层芯片的顶部通过第一焊材层与所述金属片连接，所述上层芯片的底部通过第二焊材层与所述中间载体的顶部连接；所述上层芯片的顶部的电极依次通过金属线、所述上层外引组件、导电连接件与所述上层引出管脚电连接；

至少一下层芯片，所述下层芯片的顶部通过第三焊材层与所述中间载体的底部连接，所述下层芯片的底部通过第四焊材层与所述基岛连接；所述下层芯片的顶部的电极通过金属线与所述下层引出管脚电连接；

封装体，其包覆所述金属片、中间载体、引线框架、上层芯片和下层芯片，所述金属片由所述封装体的其一侧面露出以用于散热，所述基岛由所述封装体的另一侧面露出以用于散热；所述上层引出管脚和所述下层引出管脚均伸出所述封装体以用于与外部的电路载体电连接。

作为优选，所述金属片的顶面由所述封装体的顶面露出以用于散热，所述基岛的底面由所述封装体的底面露出以用于散热；所述第一焊材层与所述第四焊材层均为导热焊材层。

作为优选，所述中间载体为DBC覆铜板，所述第一焊接区为第一覆铜区，所述第二焊接区为第二覆铜区，所述第一覆铜区与所述第二覆铜区通过所述DBC覆铜板上的电气导通孔电连接。

作为优选，包括多个所述上层引出管脚和多个所述下层引出管脚；不同的所述上层引出管脚用于与所述上层芯片的不同电极电连接，不同的所述下层引出管脚用于与所述下层芯片的不同电极电连接。