[实用新型]一种半导体发光二极管的防静电外延装置

说明书

本实用新型公开了一种半导体发光二极管的防静电外延装置，包括导电的壳体，壳体的一侧设有与半导体发光二极管正极相连的第一导线，壳体的另一侧设有与半导体发光二极管负极相连的第二导线，壳体顶面设有第三导线，壳体的内部设有成E字形结构的第一导板。本实用新型中，通过在壳体内部设置第一导板和第二导板构成负压端的静电电容结构，而第一导板上的侧板与第三导板构成正压端的静电电容结构，而当半导体发光二极管在工作时，形成静电场的正负电压通过第一导板、第二导板和第三导板进行传递、抵消，在通过第三导线将第一导板上过多的电荷导向地面，从而将静电场抵消，并且多个第二导板和第一导板配合，能够实像更大的静电破坏量。

技术领域

本实用新型涉及半导体发光二极管领域，具体为一种半导体发光二极管的防静电外延装置。

背景技术

现如今，在半导体元器件之间，信号传输速度的越来越快，克服静电的静电破坏耐量的要求也越来越高，所以半导体装置中各种防静电破坏装置越来越丰富。

而为了满足越来越高的使用要求，增加静电破坏耐量，则会导致半导体基板会占用较多的面积，致使整个装置的体积增大，成本增加。因此，设计一种防静电外延装置是有必要的。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供了一种半导体发光二极管的防静电外延装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种半导体发光二极管的防静电外延装置，包括导电的壳体，所述壳体的一侧设有与半导体发光二极管正极相连的第一导线，所述壳体的另一侧设有与半导体发光二极管负极相连的第二导线，所述壳体顶面设有第三导线，所述壳体的内部设有成E字形结构的第一导板，所述第一导板与第三导线电性连接，所述第一导板之间均设有第二导板，且第二导板均与第二导线电性连接，所述壳体的一侧内壁上嵌有第三导板，且第一导线与第三导板电性连接。

进一步的，所述第二导板远离第三导板的一端均与第四导板的侧面电性连接，且第四导板与壳体的内壁之间设有第一绝缘层。

进一步的，所述第一导板位于最上方和最下方的端面与壳体之间设置有第二绝缘层，所述第一导板上的侧板对应第三导板，且与第三导板间隙配合。

进一步的，所述第一导线、第二导线和第三导线与壳体的配合处均设有绝缘护套。

进一步的，所述壳体内部填充有绝缘填料，所述第一导板、第二导板、第三导板和第四导板均位于绝缘填料内，且第三导板的一侧面与壳体的内壁接触。

进一步的，所述绝缘填料的材质为氧化铝复合材料。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型中，为了提高静电破坏量，通过在壳体内部设置第一导板和第二导板构成负压端的静电电容结构，而第一导板上的侧板与第三导板构成正压端的静电电容结构，而当半导体发光二极管在工作时，形成静电场的正负电压通过第一导板、第二导板和第三导板进行传递、抵消，在通过第三导线将第一导板上过多的电荷导向地面，从而将静电场抵消，并且多个第二导板和第一导板配合，能够实像更大的静电破坏量。

附图说明

图1为一种半导体发光二极管的防静电外延装置的结构示意图之一；

图2为一种半导体发光二极管的防静电外延装置的结构示意图之二。

图中：1、壳体；2、第一导线；3、第二导线；4、第三导线；5、第一导板；6、第二导板；7、第三导板；8、第四导板；9、第一绝缘层；10、第二绝缘层；11、绝缘护套；12、绝缘填料。

具体实施方式