[实用新型]一种基于玻璃基板的混合滤波器结构有效

专利信息
申请号: 202021094575.1 申请日: 2020-06-15
公开(公告)号: CN212543742U 公开(公告)日: 2021-02-12
发明(设计)人: 胡孝伟;代文亮;马举 申请(专利权)人: 上海芯波电子科技有限公司
主分类号: H03H9/64 分类号: H03H9/64
代理公司: 上海乐泓专利代理事务所(普通合伙) 31385 代理人: 王瑞
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 玻璃 混合 滤波器 结构
【说明书】:

实用新型的一种基于玻璃基板的混合滤波器结构,包括一级裸片和堆叠于一级裸片侧面的二级裸片和三级裸片,一级裸片包括玻璃基板、设置于玻璃基板上的玻璃半导体器件、设置于玻璃基板内的玻璃通孔,二级裸片包括表声波滤波器SAW,三级裸片包括体声波滤波器BAW,表声波滤波器SAW和体声波滤波器BAW通过凸点与玻璃半导体器件导通。通过把两个声学滤波器构造成单个滤波器,使得一个表面上的声滤波器在一个频率上提供陡峭的抑制,而另一表面上的声滤波器在不同频率上提供抑制,实现急剧的滤波器滚降和增加带宽,同时以玻璃相比硅基板等材料产品可靠性优异,适合高频应用,实现更优的电性能。

技术领域

本实用新型属于声学滤波器技术领域,具体来说是一种基于玻璃基板的混合滤波器结构。

背景技术

目前随着移动通信的迅速发展,对声滤波器提出了愈来愈高的要求。一方面, 要求滤波器的插入损耗要低,以提高信噪比、降低功耗;另一方面,要求滤波器有较宽的带宽。窄带宽,低插入损耗滤波器比较成熟,但是宽带低插入损耗滤波器设计比较困难。

以玻璃基板为主体材料,相比硅基板等材料产品可靠性优异,适合高频应用,实现更优的电性能。SAW滤波器由压电材料(piezoelectric substrate)和2 个InterdigitalTransducers(IDT)组成,SAW的频率与速率成正比,与IDT电极的间距成反比。当间距越小的时候,电流密度大会产生电迁移和发热等问题, SAW极易受温度变化影响且一般只适用于1.5GHz以下的应用。BAW滤波器(谐振器品质因数Q值高达5000),具有低插损、高带外抑制、高隔离度和高功率容量(30dBm)等优良特性。BAW滤波器适用于高频(1.5GHz以上有优势),且尺寸会随频率升高而缩小,对温度变化不敏感,拥有极低损耗与陡峭的滤波器抑制。由于品质因数Q值越大则滤波器可以实现越窄的通带带宽,实现更好的选择性但也使两者的通带带宽都比较窄。

实用新型内容

1.实用新型要解决的技术问题

本实用新型的目的在于减轻独立运行的无源(IPD)滤波器和声学滤波器相关的缺点,窄带宽低插入损耗滤波器比较成熟,但是宽带低插入损耗滤波器设计比较困难。

2.技术方案

为达到上述目的,本实用新型提供的技术方案为:

本实用新型的一种基于玻璃基板的混合滤波器结构,包括一级裸片和堆叠于所述一级裸片侧面的二级裸片和三级裸片,所述一级裸片包括玻璃基板、设置于玻璃基板上的玻璃半导体器件、设置于玻璃基板内的玻璃通孔,所述二级裸片和三级裸片与所述一级裸片靠近的侧面设有若干个凸点,若干个所述凸点与玻璃半导体器件导通或与玻璃通孔导通,所述二级裸片包括表声波滤波器 SAW,该表声波滤波器SAW为低通滤波器,所述三级裸片包括体声波滤波器,该体声波滤波器BAW为高通滤波器,所述表声波滤波器SAW和体声波滤波器 BAW通过凸点与玻璃半导体器件导通。

优选的,所述一级裸片的两侧面为侧面一和侧面二,所述侧面一和侧面二均设有钝化层。

优选的,所述玻璃基板上堆叠有表声波滤波器SAW和体声波滤波器BAW。

优选的,所述二级裸片和三级裸片均设置于侧面一或所述二级裸片和三级裸片均设置于侧面二。

优选的,所述二级裸片和三级裸片分别堆叠于一级裸片的侧面一和侧面二。

优选的,所述声学滤波器和所述玻璃半导体器件彼此叠置且相隔小于 100um。

优选的,所述一级裸片通过植球与玻璃通孔TGV和PCB载板相连。

优选的,所述玻璃通孔内填充有导电材料。

3.有益效果

采用本实用新型提供的技术方案,与现有技术相比,具有如下有益效果:

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