[实用新型]一种micro-LED外延结构有效
| 申请号： | 202021014367.6 | 申请日： | 2020-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN212848467U | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王国斌;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 micro led 外延 结构 | ||
1.一种micro-LED外延结构，包括衬底，以及所述衬底表面的n型半导体层、发光层、以及p型半导体层，其特征在于，所述发光层包括电子减速层、超晶格有源区、和空穴聚集层。
2.根据权利要求1所述的micro-LED外延结构，其特征在于，所述超晶格有源区包括多层交替生长的发光阱层和发光垒层。
3.根据权利要求2所述的micro-LED外延结构，其特征在于，包括不少于30层彼此交替的InGaN发光阱层和GaN发光垒层，发光阱层的单层厚度区间为2～4nm，发光垒层的单层厚度区间为2～8nm，以形成小电流密度下的电子空穴的隧穿效应。
4.根据权利要求1所述的micro-LED外延结构，其特征在于，电子减速层的厚度大于100nm，空穴聚集层厚度小于30nm。
5.根据权利要求1所述的micro-LED外延结构，其特征在于，所述n型半导体层以及p型半导体层依次为n型GaN层以及p型GaN层。
6.根据权利要求5所述的micro-LED外延结构，其特征在于，所述电子减速层为n型掺杂的AlGaN层或n型掺杂的AlGaN/GaN循环多层复合结构。
7.根据权利要求6所述的micro-LED外延结构，其特征在于，所述电子减速层采用元素周期表第ⅣA族或第ⅥA族元素中的一种或多种进行掺杂。
8.根据权利要求7所述的micro-LED外延结构，其特征在于，所述电子减速层为Si掺杂。
9.根据权利要求5所述的micro-LED外延结构，其特征在于，所述空穴聚集层为P型掺杂的InGaN材料或P型掺杂的InGaN/GaN循环多层复合结构。
10.根据权利要求9所述的micro-LED外延结构，其特征在于，所述空穴聚集层采用元素周期表第ⅡA族元素中的一种或多种进行掺杂。
11.根据权利要求10所述的micro-LED外延结构，其特征在于，所述空穴聚集层采用Mg掺杂。
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