[实用新型]吸波结构、器件

权利要求书

1.吸波结构，其特征在于，包括：

第一介质层，开设有通孔；

第二介质层，设置于所述第一介质层一端；

液晶分子，设置于所述第二介质层内部，用于吸收电磁波；

电极组件，设置于所述第二介质层两端，用于根据电压大小调节所述液晶分子的取向。

2.根据权利要求1所述的吸波结构，其特征在于，还包括：

第三介质层，设置于所述第二介质层远离所述第一介质层的一端，用于隔绝电磁波透射。

3.根据权利要求2所述的吸波结构，其特征在于，所述电极组件包括：

上极板，设置于所述第二介质层和所述第一介质层之间；

下极板，设置于所述第二介质层和所述第三介质层之间。

4.根据权利要求3所述的吸波结构，其特征在于，所述上极板和所述下极板之间的间距为0.5-1mm。

5.根据权利要求1所述的吸波结构，其特征在于，所述通孔的形状为十字架形。

6.根据权利要求2所述的吸波结构，其特征在于，所述第三介质层为金属介质层。

7.根据权利要求3所述的吸波结构，其特征在于，所述上极板和所述下极板之间接入外加电源，所述外加电源的电压大小为0.1-50V。

8.根据权利要求1所述的吸波结构，其特征在于，所述第一介质层的厚度为1-2mm。

9.一种吸波器件，其特征在于，包括：如权利要求1-8任一项所述的吸波结构，所述吸波结构设置若干个，且若干所述吸波结构呈阵列排布。