[实用新型]一种阵列基板、显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其包括衬底和位于衬底上的薄膜晶体管，其特征在于，在衬底上设有凹部，所述凹部的侧壁具有垂直于所述衬底表面的形状；在凹部的底面和侧壁覆盖有一层挡光层；在所述挡光层上设置有沟道区和位于沟道区两侧的源/漏区，其中所述沟道区和所述源/漏区设置于所述凹部内；在所述沟道区上形成有栅介质膜；在所述栅介质膜上形成栅电极；在所述栅介质膜以及所述栅电极上覆盖有第二层间绝缘膜；在所述第二层间绝缘膜上设置有源漏金属，所述源漏金属通过所述第二层间绝缘膜上的通孔与所述源/漏区形成电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述挡光层与所述栅介质膜之间还形成有第一层间绝缘膜，挡光层、第一层间绝缘层和衬底的材料选择为使得挡光层的折射系数小于衬底的折射系数且大于第一层间绝缘层的折射系数。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一层间绝缘膜至少全部覆盖所述挡光层。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅介质膜整体覆盖于所述凹部、所述源/漏区、所述沟道区以及所述衬底的表面。

5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述挡光层的材料可以选择硅化钨等导电性材料，亦可以选择添加了遮光性颜料或染料的树脂材料。

6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述凹部的深度为1μm-5μm，宽度为10-50μm。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述挡光层的厚度为20nm-1000nm。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道区的材料为多晶硅、金属氧化物半导体或者有机半导体材料。

9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-8中任一项所述的阵列基板。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的显示面板，以及支架、调制电路、解调电路、窗口、前窗架、后窗架。