[实用新型]一种SiC异质结晶体管外延结构及器件有效
| 申请号： | 202021004350.2 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN212874491U | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 钮应喜;左万胜;刘洋;张晓洪;刘锦锦;袁松;胡新星;史田超;史文华;钟敏;郗修臻 | 申请（专利权）人： | 芜湖启迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/165;H01L29/04;H01L29/778 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 尹婷婷 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 结晶体 外延 结构 器件 | ||
1.一种SiC异质结晶体管外延结构，其特征在于，所述SiC异质结晶体管外延结构由下至上依次包括C面4H-SiC衬底、4H-SiC外延层、N型3C-SiC外延层；
所述C面4H-SiC衬底和4H-SiC外延层之间还包括P型4H-SiC缓冲层、和/或P型4H-SiC外延层。
2.根据权利要求1所述的SiC异质结晶体管外延结构，其特征在于，所述P型4H-SiC缓冲层位于P型4H-SiC外延层的下面。
3.根据权利要求1所述的SiC异质结晶体管外延结构，其特征在于，所述P型4H-SiC缓冲层的厚度为20～200nm。
4.根据权利要求1所述的SiC异质结晶体管外延结构，其特征在于，所述P型4H-SiC外延层的厚度为5～10μm。
5.根据权利要求1所述的SiC异质结晶体管外延结构，其特征在于，所述4H-SiC外延层的厚度为5～10μm；所述N型3C-SiC外延层厚度为5～10μm。
6.一种包含权利要求1-5任意一项所述的SiC异质结晶体管外延结构的器件。
7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述N型3C-SiC外延层上分别设置有源极、栅极、漏极；所述源极、漏极分别设置于3C-SiC外延层上的两端；所述栅极位于源极和漏极之间。
8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述栅极与源极之间设置有SiN隔离层；所述栅极与漏极之间设置有SiN隔离层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芜湖启迪半导体有限公司，未经芜湖启迪半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021004350.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
