[实用新型]一种高绝缘性低熔损率变压器的装置有效
| 申请号: | 202021002759.0 | 申请日: | 2020-06-04 |
| 公开(公告)号: | CN212062173U | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
| 发明(设计)人: | 范忠华;王船;刘敏 | 申请(专利权)人: | 忠县南泰电子有限公司 |
| 主分类号: | H01F41/098 | 分类号: | H01F41/098;H01F27/30 |
| 代理公司: | 重庆启恒腾元专利代理事务所(普通合伙) 50232 | 代理人: | 黎志红 |
| 地址: | 404300*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 绝缘性 低熔损率 变压器 装置 | ||
1.一种高绝缘性低熔损率变压器的装置,包括绕线机(1)和融板(9),其特征在于:所述绕线机(1)的顶部固定套装有P1N1线柱(2),所述P1N1线柱(2)的一侧固定套装有P1N2线柱(3),所述P1N2线柱(3)的另一侧固体套装有P1N3线柱(4),所述P1N3线柱(4)的另一侧固定套装有P1N4线柱(5),所述P1N4线柱(5)的另一侧固定套装有P1N5线柱(6),所述绕线机(1)的顶部开设有绕线小槽(7),所述绕线机(1)的中部固定安装有绕线包(8),所述绕线机(1)的中部开设有连接槽(10)。
2.根据权利要求1所述的一种高绝缘性低熔损率变压器的装置,其特征在于:所述绕线小槽(7)开设的数量有若干个,若干个所述绕线小槽(7)分别开设在P1N1线柱(2)、P1N2线柱(3)、P1N3线柱(4)、P1N4线柱(5)和P1N5线柱(6)的底部。
3.根据权利要求1所述的一种高绝缘性低熔损率变压器的装置,其特征在于:所述绕线小槽(7)开设的直径范围大于绕线机(1)的水平宽度零点五厘米至一厘米。
4.根据权利要求1所述的一种高绝缘性低熔损率变压器的装置,其特征在于:所述P1N1线柱(2)的底部通过绕线包(8)和连接槽(10)固定连接在融板(9)的左右两侧。
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