[实用新型]一种变压器隔离IGBT驱动电路有效

专利信息
申请号: 202021002135.9 申请日: 2020-06-03
公开(公告)号: CN211981734U 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 许弟华;李增伟 申请(专利权)人: 上海澳通韦尔电力电子有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 上海浙晟知识产权代理事务所(普通合伙) 31345 代理人: 杨小双
地址: 201424 上海市奉贤*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 变压器 隔离 igbt 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种变压器隔离IGBT驱动电路,其特征在于,包括初级驱动隔离电路、变压器T1、副边电源构造电路、图腾柱驱动电路、双回路IGBT门级钳位保护电路,其中,初级驱动隔离电路的输出端与变压器T1的初级绕组连接,变压器T1的次级绕组与副边电源构造电路的输入端连接,变压器T1的次级绕组与图腾柱驱动电路的输入端连接,图腾柱驱动电路的输出端与双回路IGBT门级钳位保护电路输入端连接;

所述初级驱动隔离电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一滤波电容C1、第二滤波电容C2、MOS管Qa、第一稳压管Z1、第一二极管D1,其中,第一滤波电容C1的正极与电源端Vcc连接,第一滤波电容C1的负极接地,第一电阻R1的一端与输出端连接,第一电阻R1的另一端与MOS管Qa的栅极连接,第二电阻的一端与MOS管Qa的栅极连接,第二电阻的另一端与MOS管Qa的源极连接并接地,MOS管Qa的漏极、第一二极管D1的正极与变压器T1初级绕组异名端连接,第一二极管D1的负极与第一稳压管Z1的负极连接,第一稳压管Z1的正极、变压器T1初级绕组同名端与电源端Vcc连接,第二滤波电容C2的正极与电源端Vcc连接,第二滤波电容C2的负极接地;

所述副边电源构造电路包括第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第五二极管D5、第三滤波电容C3、第四滤波电容C4、第五滤波电容C5、第六滤波电容C6、第七滤波电容C7、第一稳压基准源U1、第二稳压基准源U2,其中,第二二极管D2的正极、第四二极管D4的负极与变压器T1次级绕组同名端连接,第二二极管D2的负极与第三二极管D3的负极连接,第三二极管D3的正极、第五二极管D5的负极与变压器T1次级绕组异名端连接,第五二极管D5的正极与第四二极管D4的正极连接,第三滤波电容C3的正极与第五二极管D5的正极连接,第三滤波电容C3的负极与第三二极管D3的负极连接,第三电阻R3的一端与第三滤波电容C3的负极连接,第三电阻R3的另一端与第一稳压基准源U1的阴极和第四电阻R4的一端连接,第一稳压基准源U1的参考极与第四电阻R4的另一端和第五电阻R5的一端连接,第一稳压基准源U1的阳极与第五电阻R5的另一端、第二稳压基准源U2的阴极、第六电阻R6的一端连接,第二稳压基准源U2的参考极与第六电阻R6的另一端和第七电阻R7的一端连接,第二稳压基准源U2的阳极与第七电阻R7的另一端连接,第四滤波电容C4的正极、第五滤波电容C5的正极与第一稳压基准源U1的阴极连接,第四滤波电容C4的负极、第五滤波电容C5的负极与第一稳压基准源U1的阳极连接,第六滤波电容C6的正极、第七滤波电容C7的正极与第二稳压基准源U2的阴极连接,第六滤波电容C6的负极、第七滤波电容C7的负极与第二稳压基准源U2的阳极连接;

所述图腾柱驱动电路包括第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第一三极管Q1、第二三极管Q2,其中,第八电阻R8的一端与变压器T1次级绕组同名端连接,第八电阻R8的另一端与第一三极管Q1的基极和第二三极管Q2的基极的连接,第一三极管Q1的发射极与第九电阻R9的一端连接,第二三极管Q2的发射极与第十电阻R10的一端连接,第九电阻R9的另一端与第十电阻R10的另一端连接,第一三极管Q1的集电极与驱动电源端Vp连接,第二三极管Q2的集电极接地;

所述双回路IGBT门级钳位保护电路包括第六二极管D6、第十一电阻R11、第二稳压管Z2、第三稳压管Z3,其中,第六二极管D6的正极与第九电阻R9的另一端和第十电阻R10的另一端连接,第六二极管D6的负极与第一三极管Q1的集电极和驱动电源端Vp连接,第十一电阻R11的一端与第六二极管D6的正极和第二稳压管Z2的负极连接,第二稳压管Z2的正极与第三稳压管Z3的正极连接,第三稳压管Z3的负极和第十一电阻R11的另一端与驱动电源Ve连接。

2.根据权利要求1所述的一种变压器隔离IGBT驱动电路,其特征在于,所述初级驱动隔离电路的输入端与控制器的输出端连接,控制器为驱动信号控制器、PWM振荡器、DSP、ARM、MCU芯片中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种变压器隔离IGBT驱动电路,其特征在于,所述第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第五二极管D5为高频肖特基二极管。

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