[实用新型]一种高防护等级单向可控硅静电防护器件

权利要求书

1.一种高防护等级单向可控硅静电防护器件，其特征在于，包括P型衬底；

所述P型衬底内设有第一N型深阱和第二N型深阱；其中，所述第一N型深阱位于P型衬底左侧，所述第二N型深阱位于P型衬底右侧；

所述第二N型深阱右侧设有P阱；

所述第一N型深阱内设有第一P+注入区和第一N+注入区，其中，所述第一P+注入区位于所述第一N型深阱右侧，所述第一N+注入区位于所述第一N型深阱左侧；

所述第二N型深阱内设有第二P+注入区和第二N+注入区，其中，所述第二P+注入区位于所述第二N型深阱右侧，所述第二N+注入区位于所述第二N型深阱左侧；

所述第一N型深阱和所述第二N型深阱中间设有跨接的第四N+注入区；

所述P阱内设有第三P+注入区和第三N+注入区，其中，所述第三P+注入区位于所述P阱右侧，所述第三N+注入区位于所述P阱左侧；

所述第一P+注入区、所述第一N+注入区、所述第二P+注入区和所述第二N+注入区连接在一起并作为器件的阳极，所述第三P+注入区和所述第三N+注入区连接在一起并作为器件的阴极。

2.根据权利要求1所述的高防护等级单向可控硅静电防护器件，其特征在于，所述第一N+注入区左侧与所述P型衬底左侧边缘之间设有第一场氧隔离区；所述第一N+注入区右侧与所述第一P+注入区左侧连接，所述第一P+注入区右侧与跨接在所述第一N型深阱和所述第二N型深阱之间的所述第四N+注入区之间设有一个第二场氧隔离区；所述跨接在所述第一N型深阱和所述第二N型深阱之间的所述第四N+注入区与所述第二N+注入区右侧之间设有一个第三场氧隔离区；所述第二P+注入区右侧与所述第三N+注入区之间设有第四场氧隔离区，所述第二P+注入区左侧与位于所述第二N+注入区右侧连接；位于右侧的所述第三P+注入区右侧与所述P型衬底右侧边缘之间设有第五场氧隔离区。

3.根据权利要求2所述的高防护等级单向可控硅静电防护器件，其特征在于，所述第一场氧隔离区的左部位于所述P型衬底的表面，所述第一场氧隔离区右部位于所述第一N型深阱的表面；所述第五场氧隔离区左部位于所述P阱的表面，所述第五场氧隔离区右部位于所述P型衬底的表面；所述第二场氧隔离区位于所述第一N型深阱的表面，所述第三场氧隔离区位于所述第二N型深阱的表面；所述第四场氧隔离区的左部位于所述第二N型深阱的表面，所述第四场氧隔离区右部位于所述P阱的表面。

4.根据权利要求2所述的高防护等级单向可控硅静电防护器件，其特征在于，当高压ESD脉冲到达器件的阳极，器件的阴极接低电位时，所述第二N型深阱中的所述第二P+注入区、所述第二N型深阱和所述P阱构成寄生PNP1三极管结构；所述第二N型深阱、所述P阱和所述第三N+注入区构成了寄生NPN三极管；所述第一N型深阱中的所述第一P+注入区、所述第一N型深阱和所述P型衬底构成寄生PNP2三极管结构。

5.根据权利要求4所述的高防护等级单向可控硅静电防护器件，其特征在于，所述P阱与所述第三N+注入区之间的距离为S1。