[实用新型]基于一种DBC布局的集成IGBT封装结构

权利要求书

1.基于一种DBC布局的集成IGBT封装结构，其特征在于：包括三相DBC结构（6，7，8），所述三相DBC结构的外部固定有框架（3），所述三相DBC结构（6，7，8）的正面均焊接有多个芯片，三相DBC结构（6，7，8）的背面直接焊接在散热器（4）上，三相DBC结构中的各芯片之间相互连接，三相DBC结构（6，7，8）直流端子处连接有叠层母排（5）。

2.根据权利要求1所述的基于一种DBC布局的集成IGBT封装结构，其特征在于：三相DBC结构中的各芯片之间通过绑定线（2）、铝带或铜带相互连接。

3.根据权利要求1所述的基于一种DBC布局的集成IGBT封装结构，其特征在于：所述叠层母排（5）分为三层，包括第一导电层、中间层和第二导电层，第一导电层（5-1）和第二导电层（5-2）采用叠层结构，第一导电层和第二导电层之间用绝缘材料隔离形成中间层，第一导电层（5-1）在端子处至少包括第一输出端子（5-1-1）和第二输出端子（5-1-2），第二导电层（5-2）在端子处至少分为4个输出端子（5-2-1），分别用超声焊接到三相DBC（6，7，8）直流端子处。

4.根据权利要求1所述的基于一种DBC布局的集成IGBT封装结构，其特征在于：所述框架（3）内部采用硅胶进行灌封。

5.根据权利要求1所述的基于一种DBC布局的集成IGBT封装结构，其特征在于：所述三相DBC结构（6，7，8）包括三块并联的DBC，框架上分别设置有信号端子引出端口和NTC温度传感器引出端口，单块的DBC上的IGBT栅极控制信号端、发射极控制信号端、NTC温度传感器键合到框架。