[实用新型]硅片承载结构即分离装置有效
申请号: | 202020988709.8 | 申请日: | 2020-06-02 |
公开(公告)号: | CN211879352U | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 任少军 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;张博 |
地址: | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 承载 结构 分离 装置 | ||
1.一种硅片承载结构,包括基台,所述基台上并排设置的第一条形支撑架和第二条形支撑架,所述第一条形支撑架沿其延伸方向设置有多个间隔排布的第一卡槽,所述第一卡槽的延伸方向与所述第一条形支撑架的延伸方向相垂直,所述第二条形支撑架沿其延伸方向设置有多个间隔排布的第二卡槽,所述第二卡槽的延伸方向与所述第二条形支撑架的延伸方向相垂直,多个所述第一卡槽与多个所述第二卡槽一一对应,其特征在于,
所述第一卡槽包括沿垂直于所述基台的方向相叠置的多个子卡槽,该多个子卡槽在第一方向上的宽度随着所述第一卡槽的深度的增加而减小;
所述第二卡槽包括沿垂直于所述基台的方向相叠置的多个子卡槽,该多个子卡槽在所述第一方向上的宽度随着所述第二卡槽的深度的增加而减小;
所述第一卡槽上的多个子卡槽包括第一子卡槽和第二子卡槽,所述第二卡槽上的多个子卡槽包括第三子卡槽和第四子卡槽,所述第一子卡槽与所述第三子开槽相对应、以共同承载具有第一厚度值的硅片,所述第二子卡槽与所述第四子卡槽相对应、以共同承载具有第二厚度值的硅片,所述第一厚度值大于所述第二厚度值;
所述第一方向为所述第一条形支撑架的延伸方向。
2.根据权利要求1所述的硅片承载结构,其特征在于,所述第一子卡槽和所述第三子卡槽的结构相同,所述第一子卡槽沿其深度方向包括第一部分和第二部分,所述第二部分靠近所述基台设置,且所述第一部分在所述第一方向上的截面为倒置的梯形,所述第二部分在所述第一方向上的截面为矩形。
3.根据权利要求2所述的硅片承载结构,其特征在于,所述第一子卡槽的槽底和对应的所述第三子卡槽的槽底位于同一弧面上。
4.根据权利要求2所述的硅片承载结构,其特征在于,所述第二子卡槽和所述第四子卡槽的结构相同,所述第二子卡槽沿其深度方向包括第三部分和第四部分,所述第四部分靠近所述基台设置,且所述第三部分在所述第一方向上的截面为倒置的梯形,所述第四部分在所述第一方向上的截面为矩形。
5.根据权利要求4所述的硅片承载结构,其特征在于,所述第二子卡槽的槽底与对应的所述第四子卡槽的槽底位于同一弧面上。
6.根据权利要求1所述的硅片承载结构,其特征在于,所述第一卡槽和所述第二卡槽的槽底均设置有通过监测水压变化以检测硅片是否放置异常的水压监测传感器。
7.根据权利要求1所述的硅片承载结构,其特征在于,所述基台上还设置有第三条形支撑架,所述第三条形支撑架与所述第一条形支撑架平行,且所述第三条形支撑架位于所述第一条形支撑架和所述第二条形支撑架之间,所述第三条形支撑架上沿其延伸方向设置有多个间隔排布的第三卡槽,所述第三卡槽的延伸方向与所述第三条形支撑架的延伸方向相垂直,多个所述第三卡槽与多个所述第一卡槽一一对应、以共同承载硅片。
8.根据权利要求7所述的硅片承载结构,其特征在于,所述第三卡槽包括沿垂直于所述基台的方向上相叠置的多个子卡槽,该多个子卡槽在所述第一方向上的宽度随着所述第三卡槽的深度的增加而减小;
所述第三卡槽的多个子卡槽包括第五子卡槽和第六子卡槽,所述第六子卡槽靠近所述基台设置,且所述第五子卡槽与所述第一子卡槽的结构相同,所述第六子卡槽的结构与所述第二子卡槽的结构相同。
9.根据权利要求8所述的硅片承载结构,其特征在于,所述第一子卡槽的槽底、所述第三子卡槽的槽底、所述五子卡槽的槽底位于同一弧面,所述第二子卡槽的槽底、所述第四子卡槽的槽底、所述第六子卡槽的槽底位于同一弧面。
10.根据权利要求7所述的硅片承载结构,其特征在于,所述第三卡槽的槽底设置有通过监测水压变化以检测硅片是否放置异常的水压监测传感器。
11.一种分离装置,用于使得卡片匣中的硅片从卡片匣轴分离,其特征在于,包括权利要求1-10任一项所述的硅片承载结构,所述基台包括用于承载所述第一条形支撑架和所述第二条形支撑架的承载面,以及与所述承载面相对设置的底面,所述底面上设置有用于控制所述基台升降的升降结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造