[实用新型]图像传感器有效
申请号: | 202020983161.8 | 申请日: | 2020-06-02 |
公开(公告)号: | CN213403240U | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | P·马林格;F·拉兰尼;L·希莫尼 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(格勒诺布尔2)公司;意法半导体(克洛尔2)公司 |
主分类号: | H04N5/369 | 分类号: | H04N5/369;H04N5/374;H04N5/378 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 董莘 |
地址: | 法国格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:
像素的矩阵,每个像素包括:
第一晶体管和第一开关,所述第一晶体管和所述第一开关被串联连接在所述像素的内部节点与第一节点之间,所述第一节点被配置为接收第一电势,所述第一晶体管包括与所述像素的浮动扩散节点耦合的栅极;
电容性元件,具有被连接到所述像素的所述浮动扩散节点的第一端子;以及
多个组件,每个组件包括电容和第二开关,所述第二开关与所述电容串联连接,并且将所述电容耦合到所述像素的所述内部节点;以及
控制电路,被配置为针对每个像素、当每一次电压被存储在所述像素的所述组件中的一个组件中时,控制所述像素的所述浮动扩散节点与所述内部节点之间的电势差增加确定值。
2.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,针对每个像素,当每一次电压被存储在所述像素的所述组件中的一个组件中时,为了控制所述增加,所述控制电路被配置为控制被施加到所述组件中的所述一个组件的所述电容的第一端子的电势从第一电平到第二电平的切换,所述第一端子与所述电容的第二端子相对,所述电容被连接到所述组件中的所述一个组件的所述第二开关。
3.根据权利要求2所述的传感器,其特征在于,所述第二电平低于所述第一电平。
4.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,针对每个像素,当每一次电压被存储在所述像素的所述组件中的一个组件中时,为了控制所述增加,所述控制电路被配置为控制被施加到所述电容性元件的第二端子的电势从第一电平切换到第二电平。
5.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,针对每个像素,所述控制电路被配置为:
在当每一次电压被存储在所述像素的所述组件中的一个组件中时进行所述增加之后,控制在所述像素的所述内部节点与所述第一节点之间流动的电流的中断;并且
将所述增加的所述控制与所述电流的所述中断的所述控制隔开相同的第一持续时间,所述第一持续时间是相同的、与所述像素和所述像素的所述组件中的所述一个组件无关。
6.根据权利要求5所述的传感器,其特征在于,针对每个像素,所述控制电路被配置为:
通过控制被施加到所述像素的所述组件中的所述一个组件的所述电容的第一端子的电势从第一电平到第二电平的切换,来控制所述增加,所述第一端子与所述电容的第二端子相对,所述电容被连接到所述组件中的所述一个组件的所述第二开关;以及
通过如下来控制在所述像素的所述内部节点与所述第一节点之间流动的电流的所述中断:
控制所述像素的所述第一开关的断开;或者
控制所述像素的所述组件中的所述一个组件的所述第二开关的断开。
7.根据权利要求5所述的传感器,其特征在于,针对每个像素,所述控制电路被配置为:
通过控制被施加到所述像素的所述组件中的所述一个组件的所述电容的第一端子的电势从第一电平到第二电平的切换,来控制所述增加,所述第一端子与所述电容的第二端子相对,所述电容被连接到所述组件中的所述一个组件的所述第二开关;并且
通过如下来控制在所述像素的所述内部节点与所述第一节点之间流动的电流的所述中断:
控制被施加到所述电容性元件的第二端子的电势从所述第二电平到所述第一电平的切换;或者
控制所述像素的所述第一开关的断开;或者
控制所述像素的所述组件中的所述一个组件的所述第二开关的断开。
8.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,针对每个像素,所述控制电路被配置为当每一次电压被存储在所述像素的所述组件中的所述一个组件中时,控制被施加到所述第一节点的所述电势在所述增加之前从第一电平到第二电平的切换。
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