[实用新型]一种防串扰Micro-LED显示屏

说明书

本实用新型涉及一种防串扰Micro‑LED显示屏，包括驱动背板以及焊接在驱动背板上的多个像素结构，各所述的像素结构均包含至少一对LED芯片以及叠放在所述的LED芯片出光一侧的至少一对量子点发光材料，所述的至少一对量子点发光材料的非出光侧均设置有反射层。本实用新型是在量子点发光材料的非出光面形成反射层，从而减少量子点发光材料层的光吸收现象，消除光串扰，提高出光效率，尤其适用于量子点发光材料高度大于5微米的显示屏结构。

技术领域

本实用新型属于微显示技术领域，特别涉及一种Micro-LED显示屏。

背景技术

随着VR/AR（虚拟现实/增强现实）产业的迅速发展使得适用于VR/AR的显示器迎来了一个高速增长期。有鉴于VR/AR系统目前多以头戴式设备实现，因此适合于这些设备的显示必须是微显示芯片，一般对角线尺寸在1英寸以内，大多是在0.6-0.7英寸。目前的微显示芯片包括了LCOS、Micro-OLED以及Micro-LED三种，然而在面对AR应用时，LCOS和Micro-OLED芯片的亮度还难以达到实际需求，因此适用于AR系统的显示芯片将主要以Micro-LED微显示芯片为主。Micro-LED即LED微缩技术，是指将传统LED阵列化、微缩化后定址巨量转移到电路基板上，形成超小间距LED，将毫米级别的LED长度进一步微缩到微米级，以达到超高像素、超高解析率，理论上能够适应各种尺寸屏幕的技术。

随着像素的进一步缩小，LED微显示屏像素之间的光串扰现象变得尤为严重，在单色显示屏体里，这一问题的严重性可由在LED像素外部生长反光层来降低和缓解，然而，当前Micro-LED微显示实现彩色化方法之一是采用蓝光LED加红绿量子点QD的方法，在这种显示屏当中，为了达到较好的光转化效率，QD材料往往会超过5μm，这种情况下，存在着在QD层发生光串扰的问题，虽然可以采用BM（Black Matrix黑色遮光）材料消除这一问题（见US2018/0233537 Al），然而出光效率却会大幅下降。

发明内容

为了解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种出光效率高的防串扰微显示屏。

为了实现上述实用新型的目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种防串扰Micro-LED显示屏，包括驱动背板以及焊接在所述的驱动背板上的多个像素结构，各所述的像素结构均包含至少一对LED芯片以及叠放在所述的LED芯片出光一侧的至少一对量子点发光材料，所述的至少一对量子点发光材料的非出光侧均设置有反射层。

优选的，所述的LED芯片表面依次设置有LED绝缘层、光阻挡层和平坦化层，所述的光阻挡层布置在所述的LED芯片的非出光面上。

优选的，所述的LED芯片与所述的量子点发光材料之间还设有层间绝缘层。所述的层间绝缘层（16）选自SiO₂、SiN、Al₂O₃等绝缘材料，透光率≥90%。

优选的，所述的量子点发光材料的非出光侧侧依次设置有绝缘层、所述的反射层和量子井绝缘层。

进一步的，所述的至少一对量子点发光材料的出光面形成有保护绝缘层。

优选的，所述的量子井绝缘层选自SiO₂、SiN和Al₂O₃中的一种。

进一步的，所述的反射层为金属反射层。

优选的，所述的金属反射层的材料是Ag、Al、Ti材料中的一种

优选的，所述的反射层的厚度≤500nm，可见光反射率≥80%。

本实用新型与现有技术相比获得如下有益效果：本实用新型能够有效减少量子点发光材料层的光吸收现象，消除光串扰，提高出光效率，尤其适用于量子点发光材料高度大于5微米的显示屏结构。