[实用新型]一种具有双层绝缘层的面板结构有效
申请号: | 202020949178.1 | 申请日: | 2020-05-29 |
公开(公告)号: | CN212084945U | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 宋爽 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L21/34 | 分类号: | H01L21/34;H01L21/77;H01L29/423;H01L27/12 |
代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 林祥翔;徐剑兵 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 双层 绝缘 面板 结构 | ||
1.一种具有双层绝缘层的面板结构,其特征在于,包括:
基板上的一侧设置有栅极;
在栅极上设置有第一绝缘层,位于栅极区域的第一绝缘层上设置有孔,孔的底部为栅极;
在第一绝缘层上设置有第二绝缘层;
在第二绝缘层上设置有半导体层,半导体层位于第二绝缘层在第一绝缘层上的孔处;
在半导体层上设置有源极和漏极。
2.根据权利要求1所述的一种具有双层绝缘层的面板结构,其特征在于,基板上的另一侧设置有极板一,第一绝缘层覆盖极板一,极板一作为电容的组成部分;
在极板一区域的第二绝缘层上设置有极板二,极板二作为电容的组成部分。
3.根据权利要求2所述的一种具有双层绝缘层的面板结构,其特征在于,第一绝缘层在栅极与极板一之间的上表面为平面或者凹陷面。
4.根据权利要求1或2所述的一种具有双层绝缘层的面板结构,其特征在于,第一绝缘层的形状与源极和漏极相同。
5.根据权利要求1所述的一种具有双层绝缘层的面板结构,其特征在于,所述半导体层为IGZO。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造