[实用新型]一种稳定型薄片三极管结构

权利要求书

1.一种稳定型薄片三极管结构，包括绝缘封装体(10)、第一导电引脚(30)、第二导电引脚(40)、第三导电引脚(50)和三极管芯片(60)，所述第一导电引脚(30)包括一体成型的第一平台片(31)、第一弯折片(32)和第一焊脚片(33)，所述第二导电引脚(40)包括第二平台片(41)、第二弯折片(42)和第二焊脚片(43)，所述第三导电引脚(50)包括一体成型的第三平台片(51)、第三弯折片(52)和第三焊脚片(53)，其特征在于，所述绝缘封装体(10)包括绝缘封盖(11)和散热绝缘座(20)，所述散热绝缘座(20)上设有第一收纳槽(21)、第二收纳槽(22)和第三收纳槽(23)，所述第一平台片(31)嵌入于所述第一收纳槽(21)中，所述第二平台片(41)嵌入与所述第二收纳槽(22)中，所述第三平台片(51)嵌入于所述第三收纳槽(23)中，所述散热绝缘座(20)上固定有第一绝缘块(24)和第二绝缘块(25)，所述三极管芯片(60)内的厚度为D；

所述三极管芯片(60)的底部电极焊接在所述第三平台片(51)上，所述三极管芯片(60)顶部的两个电极分别焊接有第一导电杆(61)和第二导电杆(62)，所述第一导电杆(61)远离所述三极管芯片(60)一端的底部固定有第一导电柱(611)，所述第一导电柱(611)与所述第一平台片(31)焊接相连，所述第一绝缘块(24)支撑于所述第一导电杆(61)的底部，所述第二导电杆(62)远离所述三极管芯片(60)一端的底部固定有第二导电柱(621)，所述第二导电柱(621)与所述第二平台片(41)焊接相连，所述第二绝缘块(25)支撑于所述第二导电杆(62)的底部；

所述第一导电杆(61)、所述第一导电柱(611)、所述第二导电杆(62)和所述第二导电柱(621)均为正棱柱，所述第一导电杆(61)、所述第一导电柱(611)、所述第二导电杆(62)和所述第二导电柱(621)的宽度均为d，0.5D≤d≤D。

2.根据权利要求1所述的一种稳定型薄片三极管结构，其特征在于，所述散热绝缘座(20)为绝缘陶瓷座。

3.根据权利要求1所述的一种稳定型薄片三极管结构，其特征在于，所述第一收纳槽(21)的槽底设有第一卡位槽(211)，所述第一平台片(31)的底部一体成型有第一卡位条(311)，所述第一卡位条(311)位于所述第一卡位槽(211)内；所述第二收纳槽(22)的槽底设有第二卡位槽(221)，所述第二平台片(41)的底部一体成型有第二卡位条(411)，所述第二卡位条(411)位于所述第二卡位槽(221)内；所述第三收纳槽(23)的槽底设有第三卡位槽(231)，所述第三平台片(51)的底部一体成型有第三卡位条(511)，所述第三卡位条(511)位于所述第三卡位槽(231)内。

4.根据权利要求1所述的一种稳定型薄片三极管结构，其特征在于，所述第一绝缘块(24)上设有第一限位槽(241)，所述第一导电杆(61)卡接于所述第一限位槽(241)内；所述第二绝缘块(25)上设有第二限位槽(251)，所述第二导电杆(62)卡接于所述第二限位槽(251)内。

5.根据权利要求1所述的一种稳定型薄片三极管结构，其特征在于，所述第一平台片(31)、所述第二平台片(41)、所述第三平台片(51)和所述散热绝缘座(20)的上表面共面，所述第一导电柱(611)和所述第二导电柱(621)的高度均为H，H＝D。

6.根据权利要求5所述的一种稳定型薄片三极管结构，其特征在于，所述第一导电杆(61)靠近所述三极管芯片(60)的一端设有第一焊接让位孔(612)，所述第二导电杆(62)靠近所述三极管芯片(60)的一端设有第二焊接让位孔(622)。