[实用新型]一种激光器

说明书

本申请实施例提供一种激光器，所述激光器包括：第一波导结构，所述第一波导结构的一端设置有高反膜；第二波导结构，设置在所述第一波导结构的另一端，所述第二波导结构的入射端面为倾斜端面抗反射结构，所述第二波导结构的出射端设置有抗反膜；沟槽，设置在所述第一波导结构与所述第二波导结构之间。本申请实现了提高半导体激光器的单模输出光功率。

技术领域

本申请涉及光电子技术领域，具体而言，涉及一种激光器。

背景技术

以稳定的基横模工作的半导体激光器是一种理想的相干光源，具有高光束质量、高光纤耦合效率等诸多优点，因而被广泛应用于光纤通信、光谱分析、全息术摄影、激光干涉测量、激光医疗、军事应用等领域。

基横模工作的半导体激光器可以采用较长腔长的FP腔(法布里-珀罗谐振腔，Fabry–Pérot cavity)结构来实现，基于FP腔结构的半导体激光器虽然可以通过增加脊波导宽度，在一定程度上提高基横模输出功率，但是为了保证基横模激射，脊波导宽度不宜过大，所以基横模输出功率的提高受到很大限制。

实用新型内容

本申请实施例的目的在于提供一种激光器，用以实现提高半导体激光器的单模输出光功率。

本申请实施例第一方面提供了一种激光器，包括：第一波导结构，所述第一波导结构的一端设置有高反膜；第二波导结构，设置在所述第一波导结构的另一端，所述第二波导结构的入射端面为抗反射结构，所述第二波导结构的出射端设置有抗反膜；沟槽，设置在所述第一波导结构与所述第二波导结构之间。

于一实施例中，所述第二波导结构包括：第一脊波导，所述第一脊波导的脊条宽度沿靠近所述抗反膜的方向逐渐增大。

于一实施例中，所述第二波导结构还包括：第二脊波导，所述第二脊波导为直波导，所述第二脊波导的出射端连接所述第一脊波导的入射端。

于一实施例中，所述第一脊波导的出射端的端口宽度范围为4μm至600μm。

于一实施例中，所述第二波导结构的入射端面与所述第一波导结构的出射端面的夹角范围为2°至85°。

于一实施例中，所述沟槽的长度范围为1μm至100μm，深度范围为0.5μm至10μm。

于一实施例中，形成所述激光器的半导体外延层自下而上依次包括：衬底、下限制层、量子阱、上限制层和欧姆接触层。

于一实施例中，所述激光器的外延材料上设置有介质膜，所述介质膜覆盖所述沟槽。

于一实施例中，所述介质膜的厚度范围为30nm至500nm。

于一实施例中，所述沟槽内设置有钝化膜，所述钝化膜设置在所述介质膜下方。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请一实施例的激光器的结构示意图；

图2为本申请一实施例的激光器的波导结构图；

图3为本申请另一实施例的激光器的波导结构图；

图4为本申请一实施例的激光器的外延结构图；

图5为本申请另一实施例的激光器的外延结构图。

附图标记：