[实用新型]铁电存储器存储阵列结构及铁电存储器

权利要求书

1.一种铁电存储器存储阵列结构，其特征在于，所述铁电存储器存储阵列结构包括多个扇区、多个感测耦合线、选择电路和多个感测电路，其中：

所述选择电路包括多个选择子电路模块；

每个所述扇区分别通过一个所述选择子电路模块与所述多个感测耦合线相连接；

所述选择电路阵列中的一个选择子电路模块导通，其他选择子电路模块关断；

所述多个感测耦合线与所述多个感测电路相连接，所述多个感测电路用于检测所述多个感测耦合线上的电压，以读取与其连接的扇区的存储数据。

2.如权利要求1所述的铁电存储器存储阵列结构，其特征在于，所述扇区包括按行和列布置的多个子存储单元，其中：

在每个所述扇区中，多个所述子存储单元排列成i行j列的矩阵结构；

多个所述子存储单元均与板线相连接，同一行的所述子存储单元均与本行所对应的字线相连接，同一列的所述子存储单元均与本列所对应的位线相连接。

3.如权利要求2所述的铁电存储器存储阵列结构，其特征在于，所述子存储单元包括铁电电容器和传输晶体管，所述铁电电容器具有第一极板和第二极板，所述第一极板与所述板线相连接；

所述传输晶体管具有源漏极路径和栅极，所述传输晶体管的源漏极路径连接在所述第二极板和所述本列所对应的位线之间，所述传输晶体管的栅极耦合至所述本行所对应的字线。

4.如权利要求3所述的铁电存储器存储阵列结构，其特征在于，所述铁电存储器存储阵列结构还包括基准电压产生电路，其中：

所述基准电压产生电路包括多个基准子存储单元，所述基准子存储单元排列成多行2列的矩阵结构，每行所述基准子存储单元与扇出存储结构的一行子存储单元分享同一字线；

所述基准子存储单元均与所述板线相连接，第一列的所述基准子存储单元输出第一基准电压，第二列的所述基准子存储单元输出第二基准电压；

与选定的子存储单元相连接的所述板线的电压为电源电压；

与选定的子存储单元相连接的所述字线的电压为电源电压，所述铁电电容器的所述第二极板和所述位线之间导通；

所述位线上的电压为感测电压，所述第一基准电压与所述第二基准电压之差的二分之一为基准电压；

所述感测电压与所述基准电压均耦合至所述多个感测电路。

5.如权利要求3所述的铁电存储器存储阵列结构，其特征在于，所述铁电电容器包括第一电容器和第二电容器，所述传输晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，所述位线包括真值位线及互补位线，其中：

所述第一晶体管的源漏极路径连接在所述第一电容器的第二极板和本列所对应的真值位线之间，所述第二晶体管的源漏极路径连接在所述第二电容器的第二极板和本列所对应的互补位线之间；

与选定的子存储单元相连接的所述板线的电压为电源电压；

与选定的子存储单元相连接的所述字线的电压为电源电压，所述第一电容器的所述第二极板和所述真值位线之间导通，所述第二电容器的所述第二极板和所述互补位线之间导通；

所述真值位线上的电压为感测电压，所述互补位线上的电压为基准电压；

所述感测电压与所述基准电压均耦合至所述多个感测电路。

6.如权利要求2所述的铁电存储器存储阵列结构，其特征在于，多个所述扇区按行布置，多个所述扇区排列成k行的矩阵结构；

多个所述选择子电路模块按行布置，所述选择子电路模块的行数为k行，并与所述扇区一一对应，每个所述选择子电路模块包括j列选择开关；

每个所述扇区的j列子存储单元分别与本扇区对应的选择子电路模块的j列选择开关一一相连接。