[实用新型]浪涌抑制滤波模块及电子设备有效
| 申请号: | 202020869564.X | 申请日: | 2020-05-21 |
| 公开(公告)号: | CN212343635U | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
| 发明(设计)人: | 蒋忠益;肖倩;黎燕林;朱建华;王智会 | 申请(专利权)人: | 深圳振华富电子有限公司 |
| 主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32;H02M1/44 |
| 代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 徐汉华 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市龙华区龙华街道清华社区和平路*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 浪涌 抑制 滤波 模块 电子设备 | ||
1.浪涌抑制滤波模块,其特征在于:包括壳体、多个导针、安装于所述壳体中的控制主板、在导通后用于抑制电源接通时产生的浪涌电流的NMOS管、在导通后用于抑制电源接通时产生的电磁干扰信号的电源滤波器和在关断时用于抑制电源断开时产生的尖峰电压的瞬态二极管;各所述导针的一端与所述控制主板电连接,各所述导针的另一端伸出所述壳体;所述NMOS管、所述电源滤波器和所述瞬态二极管分别安装于所述控制主板上,所述NMOS管、所述电源滤波器和所述瞬态二极管分别与所述控制主板电连接。
2.如权利要求1所述的浪涌抑制滤波模块,其特征在于:所述NMOS管、所述电源滤波器和所述瞬态二极管通过灌封胶灌封于所述壳体中。
3.如权利要求1所述的浪涌抑制滤波模块,其特征在于:所述电源滤波器包括分别安装于所述控制主板上的电阻、电容和电感;所述电阻、所述电容和所述电感分别与所述控制主板电连接,所述电阻、所述电容和所述瞬态二极管间隔设于所述控制主板背离所述导针的侧面上,所述NMOS管和所述电感间隔设于所述控制主板面向所述导针的侧面上。
4.如权利要求3所述的浪涌抑制滤波模块,其特征在于:所述浪涌抑制滤波模块还包括将所述NMOS管粘接于所述壳体之相应内侧壁上的导热胶。
5.如权利要求4所述的浪涌抑制滤波模块,其特征在于:所述电感远离所述控制主板的一端与所述导热胶间隔设置。
6.如权利要求3所述的浪涌抑制滤波模块,其特征在于:所述壳体为方形,所述壳体具有第一方向和与所述第一方向垂直的第二方向,所述浪涌抑制滤波模块包括两组分别平行于所述第一方向且在所述第二方向上间隔设置的导针组和设于两组所述导针组之间的所述导针;每组所述导针组包括间隔设置的两个所述导针,每组所述导针组中的两个所述导针之间的距离相等。
7.如权利要求6所述的浪涌抑制滤波模块,其特征在于:位于两组所述导针组之间的所述导针与一组所述导针组之间的距离大于位于两组所述导针组之间的所述导针与另一组所述导针组之间的距离。
8.如权利要求6所述的浪涌抑制滤波模块,其特征在于:位于两组所述导针组之间的所述导针与一组所述导针组围合成第一容置区间,所述电阻和所述电容设于所述第一容置区间中;位于两组所述导针组之间的所述导针与另一组所述导针组围合成第二容置区间,所述瞬态二极管设于所述第二容置区间中。
9.如权利要求1-8任一项所述的浪涌抑制滤波模块,其特征在于:所述壳体设有所述导针的侧面之两端分别安装有延伸块。
10.电子设备,包括被保护电路模块,其特征在于:所述电子设备还包括如权利要求1-9任一项所述的浪涌抑制滤波模块,所述浪涌抑制滤波模块与所述被保护电路模块电性连接。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置





