[实用新型]一种基于混合芯片与注塑工艺的硅基板挖腔结构有效
申请号: | 202020855979.1 | 申请日: | 2020-05-21 |
公开(公告)号: | CN212033001U | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 胡孝伟;代文亮;郭玉馨 | 申请(专利权)人: | 上海芯波电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/055 | 分类号: | H01L23/055;H01L23/31;H01L25/18 |
代理公司: | 上海乐泓专利代理事务所(普通合伙) 31385 | 代理人: | 王瑞 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 混合 芯片 注塑 工艺 硅基板挖腔 结构 | ||
本实用新型的一种基于混合芯片与注塑工艺的硅基板挖腔结构,包括硅基板,硅基板一侧设有向内凹陷的凹槽和若干个均匀分布的BGA引脚,凹槽内设有FC芯片,硅基板远离FC芯片的一侧贴装有WB芯片和SMT器件,硅基板内设有相贯通的通孔,通孔内填充有导电材料,WB芯片和SMT器件均通过通孔与BGA引脚导通,硅基板上贴装有WB芯片和SMT器件的一侧覆盖有注塑层。结合塑料封装与硅基板的特性,硅基板在引脚侧进行挖腔,放置FC芯片;并在另外一侧进行注塑以保护其他器件;既减小封装尺寸,又同时可兼顾两种封装的优点,实现高速高密,可多环境使用。保证了在芯片厚度较厚时也可以将芯片放置在引脚侧,避免芯片对引脚使用的影响。
技术领域
本实用新型属于芯片封装技术领域,具体来说是一种基于混合芯片与注塑工艺的硅基板挖腔结构。
背景技术
混合芯片封装已成为封装技术中较常用的类型之一,既封装中既包含有FC芯片,也包括WB芯片以及SMT器件。由于芯片的类型不同,对封装的要求也有不同,一般WB芯片需要进行封装保护;在使用环境要求不高时,FC芯片可以只进行底部填充(underfill),不做其他的封装保护。
塑料封装一般采用有机基板作为载体,注塑(Molding)的方式作为芯片的封装保护。塑料封装适用于FC与WB芯片的混合封装,能够提供足够的保护;但基板精度不够,材料参数不够稳定,不适用与高速高频封装。且塑料封装工艺限制,一般芯片都会在布局侧单面布局。在面对多芯片的复杂封装时,无法双面布局以缩小尺寸。
硅基板也为封装常用载体,硅转接板的制作工艺精度高,材料参数稳定,很多时候会用作高密FC器件的封装基板;硅基板一般厚度较薄,结构不易进行注塑或封帽的方式进行封装保护,一般采用粘接屏蔽罩的封装方式,针对FC芯片一般不进行封装保护,但这两种方式的可靠性不高,使用环境非常有限。
实用新型内容
1.实用新型要解决的技术问题
本实用新型的目的在于解决现有的用于FC与WB芯片的混合封装难以实现双面布局以缩小尺寸的问题。
2.技术方案
为达到上述目的,本实用新型提供的技术方案为:
本实用新型的一种基于混合芯片与注塑工艺的硅基板挖腔结构,包括硅基板,所述硅基板一侧设有向内凹陷的凹槽和若干个均匀分布的BGA引脚,所述凹槽内设有FC芯片,所述硅基板远离所述FC芯片的一侧贴装有WB芯片和SMT器件,所述硅基板内设有相贯通的通孔,所述通孔内填充有导电材料,所述WB芯片和SMT器件均通过通孔与所述BGA引脚导通,所述硅基板上贴装有WB芯片和SMT器件的一侧覆盖有注塑层。
优选的,所述FC芯片与所述凹槽内壁之间填充有填充层。
优选的,所述WB芯片和SMT器件与硅基板之间填充有粘结层。
优选的,所述WB芯片的数量是设为一个或至少两个,且WB芯片与SMT器件之间相互绝缘设置。
优选的,所述注塑层的厚度为0.4mm-1.5mm,所述注塑层采用的材料为环氧树脂。
3.有益效果
采用本实用新型提供的技术方案,与现有技术相比,具有如下有益效果:
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