[实用新型]一种MOSFET-IGBT并联应用的变频控制器

权利要求书

1.一种MOSFET-IGBT并联应用的变频控制器，包括整流滤波模块、逆变模块和控制模块；所述整流滤波模块的输入端连接交流电源，输出端与逆变模块的输入端连接；所述逆变模块的输出端连接电动机；所述控制模块与逆变模块的信号端连接，用于提供开关信号；其特征在于，所述逆变模块设有三组，三组所述逆变模块分别与电动机的三相交流电源输入端连接；每组所述逆变模块包括两个并联的逆变单元，所述逆变单元包括MOSFET晶体管和IGBT晶体管，所述MOSFET晶体管与IGBT晶体管并联；所述逆变模块的电流路径根据IGBT晶体管的通态压降与当前电流下MOSFET晶体管的通态压降的大小自动选择。

2.根据权利要求1所述的一种MOSFET-IGBT并联应用的变频控制器，其特征在于，所述控制模块为单片机，所述单片机提供12路PWM信号，分别用于控制6个所述MOSFET晶体管和6个所述IGBT晶体管的通/断。

3.根据权利要求2所述的一种MOSFET-IGBT并联应用的变频控制器，其特征在于，所述PWM信号包括高低电平信号和时序控制驱动信号；所述高低电平信号用于控制MOSFET晶体管或IGBT晶体管的通/断；所述时序控制驱动信号用于控制MOSFET晶体管延时关断。

4.根据权利要求1所述的一种MOSFET-IGBT并联应用的变频控制器，其特征在于，同组所述逆变模块中，一个逆变单元导通，另一个逆变单元断开。

5.根据权利要求1所述的一种MOSFET-IGBT并联应用的变频控制器，其特征在于，每个所述逆变单元中的MOSFET晶体管和IGBT晶体管为同时导通。

6.根据权利要求1所述的一种MOSFET-IGBT并联应用的变频控制器，其特征在于，三组所述逆变模块共有8种导通状态。