[实用新型]一种真空溅射镀膜装置

说明书

本实用新型涉及真空镀膜技术领域。本实用新型公开了一种真空溅射镀膜装置，包括一真空腔体以及间隔设置在该真空腔体内的A靶和B靶，A靶和B靶分别连接第一电源，B靶的等离子体的方向朝向A靶的表面，用于将B靶的材料沉积在A靶的表面上，A靶的等离子体的方向朝向基板，用于将A靶和B靶的材料沉积在基板上而形成薄膜层，还包括第一导电板和第二导电板，第一导电板位于A靶的远离B靶的一侧，第二导电板位于B靶的远离A靶的一侧，第一导电板和第二导电板分别连接第二电源的两输出端。本实用新型能够很容易实现多组分薄膜层的沉积，且可提高所沉积膜层的组分均匀性，可以用于各种不同材料的沉积。

技术领域

本实用新型属于真空镀膜技术领域，具体地涉及一种真空溅射镀膜装置。

背景技术

采用溅射方法制备薄膜层，可采用单靶溅射沉积、双靶溅射沉积。单靶溅射沉积是采用单个平面靶或单个旋转靶进行溅射沉积，由于有些薄膜层是由多组分构成，若采用多组分的靶材这会增加制造靶材的难度，且有的单组份材料的导电性良好，而把这几个单组份材料混合制成多组分材料后其导电性变得很差，这就使得该多组分薄膜层的沉积变得更加困难；甚至有的材料不能制备成多组分的靶材，如氧化铟掺杂钨的材料不能制备成磁控溅射靶材，因为其制成的材料密度较低，其只能用离子反应沉积设备(即RPD镀膜设备)进行沉积，使得这种薄膜的沉积难度加大而且其制造成本居高不下。传统的真空镀膜沉积方法都是对靶材的导电性、密度等有特别的要求，这就使得要沉积某些材料只能用特定的真空镀膜装置进行沉积，而且其所沉积的薄膜层的质量往往不够理想，这些因素造就了其制备的成本很高。

而采用双靶溅射沉积，则可以较好地解决上述存在的技术问题，但传统的双靶真空溅射镀膜装置，其结构如图1所示，设有A靶1′和B靶2′，A靶1′和B靶2′分别连接到电源3′和4′，电源3′和4′可以是DC电源、AC电源等，A靶1′和B靶2′可以都是旋转圆柱靶，或都是平面靶，或一个旋转圆柱靶和一个平面靶组合，A靶1′的等离子体11′和B靶'2′的等离子体21′是相互平行且垂直于基板5′表面而沉积到基板5′表面上形成多组分薄膜层6′，当然这两个等离子体11′和21′也可以各自倾斜一个角度后相交沉积于基板5′表面形成多组分薄膜层6′，图中的标记7′是进气口，该进气口7′是用来通入沉积薄膜层6′所需的气体，包括惰性气体和/或反应气体。传统的双靶溅射镀膜装置，虽然能够较容易实现多组分薄膜层的沉积，但其所沉积传统的的组分均匀性较差，膜层质量差。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种真空溅射镀膜装置用以解决上述存在的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：一种真空溅射镀膜装置，包括一真空腔体以及间隔设置在该真空腔体内的A靶和B靶，A靶和B靶分别连接第一电源，B靶的等离子体的方向朝向A靶的表面，用于将B靶的材料沉积在A靶的表面上，A靶的等离子体的方向朝向基板的方向，用于将A靶和B靶的材料沉积在基板上而形成薄膜层，还包括第一导电板和第二导电板，第一导电板位于A靶的远离B靶的一侧，第二导电板位于B靶的远离A靶的一侧，第一导电板和第二导电板分别连接第二电源的两输出端。

进一步的，所述第一导电板和第二导电板均为金属板。

进一步的，所述A靶和B靶之间的距离可调节。

进一步的，所述A靶和B靶都为旋转圆柱靶；或A靶为旋转圆柱靶而B靶为平面靶。

进一步的，所述A靶表面的磁场强度与B靶表面的磁场强度不相等。

进一步的，还包括一挡板，所述挡板阻挡在B靶与基板之间。

更进一步的，所述挡板与第三电源的一输出端连接。

进一步的，还包括加热元件，该加热元件用于对基板进行加热。

进一步的，该真空溅射镀膜装置为水平构造或立式构造。

本实用新型的有益技术效果：