[实用新型]一种发光二极管芯片及显示装置

说明书

本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种发光二极管芯片及显示装置，该发光二极管芯片包括：衬底层，该衬底层的表面依次设置有第一半导体层、发光层、第二型半导体层及两个电极，所述衬底层上表面包括粗化区域、所述粗化区域位于两个所述电极在所述衬底上的投影所对应的区域之间。通过对衬底(sapphire)层特定区域进行粗化处理，粗化处理后，使原本会发生全反射的光线会因在粗化界面的入射角发生改变而被提取出到界面外，即可以使原本出不来的光线出来，从而提升了光提取效率，使发光二极管芯片的发光亮度均匀。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管芯片及显示装置。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting-Diode，LED)是一种能将电转化为光的半导体电子元件。

在无finger电极设计的矩形u-LED结构中，位于电极正下方的发光层部分的电流密度大(即电子或空穴的密度大)，从而该部分发光强，而其余的发光层部分的电流密度会较小，从而该部分发光弱，因此导致整个 u-LED出光面的发光强度不均匀。

因而，现有技术还有待改进和提高。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光二极管芯片，能够使得u-LED整个出光面的发光强度变得均匀。

为实现上述目的，本申请的一个实施例提供一种发光二极管芯片，包括：衬底层，所述衬底层的表面依次设置有第一半导体层、发光层、第二半导体层及两个电极，所述衬底层上表面包括粗化区域，所述粗化区域位于两个所述电极在所述衬底上的投影所对应区域之间。

可选地，所述的发光二极管芯片，其中，所述粗化区域内设置有若干无规则排列的几何图形。

可选地，所述的发光二极管芯片，其中，所述几何图形为圆形和/或多边形。

可选地，所述的发光二极管芯片，其中，任一所述几何图形的深度均小于所述衬底层厚度。

可选地，所述的发光二极管芯片，其中，若干所述几何图形的深度各不相等。

可选地，所述的发光二极管芯片，其中，所述电极包括第一电极和第二电极，所述粗化区域位于所述第一电极在所述衬底层上的投影对应区域和所述第二电极在所述衬底上的投影对应区域之间。

一种显示装置，其中，包括如上所述的发光二极管芯片。

有益效果：本申请所提供的发光二极管芯片，通过对衬底(sapphire) 层特定区域进行粗化处理，粗化处理后，使原本会发生全反射的光线会因在粗化界面的入射角发生改变而被提取出到界面外，即可以使原本出不来的光线出来，从而提升了光提取效率，使发光二极管芯片的发光亮度均匀。

附图说明

图1为本申请提供的发光二极管芯片剖面结构示意图。

图2为本申请提供的发光二极管芯片的俯视图。

图3为本申请提供的另一发光二极管芯片剖面结构示意图。

图4为现有技术中的发光二极管芯片剖面结构示意图。

图5为本申请提供的一种改善发光二极管芯片正面发光的方法的流程图。

图6为图4所示结构的发光二极管芯片的发光强度测试结果图。

图7为图1所示结构的发光二极管芯片的发光强度测试结果图。

具体实施方式

本申请提供一种发光二极管芯片，为使本申请的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施方式对本申请作进一步说明。应当理解，此处所描述的具体实施方式仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。