[实用新型]一种薄膜晶体管结构

权利要求书

1.一种薄膜晶体管结构，其特征在于，包括基板和所述基板上的第一金属层、有源层、第二金属层；

所述有源层包括:侧壁有源层，所述第一金属层为柱形结构，第一金属层的底面与基板上表面平行，所述侧壁有源层环绕所述第一金属层的侧面，所述侧壁有源层的侧面与第一金属层的侧面之间形成有源层电通道，且通道内还设有绝缘层；侧壁有源层的顶部两端分别连接有一第二金属层。

2.根据权利要求1所述一种薄膜晶体管结构，其特征在于，还包括：缓冲层，所述缓冲层设置于所述基板上，所述侧壁有源层、绝缘层置于所述缓冲层上。

3.根据权利要求2所述一种薄膜晶体管结构，其特征在于，所述有源层还包括:底部有源层，所述底部有源层置于缓冲层上，所述底部有源层平行基板上表面，且底部有源层与所述第一金属层间还设置有绝缘层；所述底部有源层上表面连接所述侧壁有源层底部。

4.根据权利要求1所述一种薄膜晶体管结构，其特征在于，还包括：钝化层，所述钝化层置于所述一种薄膜晶体管结构顶层，用于保护TFT结构。

5.根据权利要求1或3所述一种薄膜晶体管结构，其特征在于，还包括：第三金属层；所述第三金属层为顶部开口、内部中空的柱形结构，且所述第三金属层套设于所述有源层外周；所述第三金属层底部与基板连接，且所述第三金属与所述有源层间还设有绝缘层。

6.根据权利要求1所述一种薄膜晶体管结构，其特征在于，所述第一金属层为多个；或者所述第一金属层为圆柱形、曲面柱形或方柱形结构；或者所述第一金属层的顶部凸出第二金属层的上表面。