[实用新型]一种半导体处理系统

权利要求书

1.一种半导体处理系统，包括：一个纵长形的传输腔，所述传输腔包括中间部、位于中间部两端的第一端部和第二端部，中间部上的第一侧壁和第二侧壁上分别设置至少一组侧面半导体处理模块，每组侧面半导体处理模块包括两个处理腔，所述每组侧面半导体处理模块的处理腔通过各自的气密阀门连接到所述传输腔中间部的第一或第二侧壁；

所述传输腔的第一端部通过真空锁与大气环境相连；

所述传输腔的第二端部连接有一组端部半导体处理模块，所述端部半导体处理模块包括两个处理腔，所述端部半导体处理模块的两个处理腔分别通过一个气密阀门连接到所述第二端部的端面，所述端部半导体处理模块的两个气密阀门具有一跨接距离(D4)，所述端面的宽度大于等于所述跨接距离，所述传输腔中间部第一侧壁和第二侧壁的间距(D2)小于所述跨接距离。

2.如权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，所述中间部的第一侧壁上连接有第一、第三两组侧面半导体处理模块，第二侧壁上连接有第二、第四两组侧面半导体处理模块；

其中第一、第三侧面半导体处理模块在沿所述传输腔的纵长方向上具有第一间隙空间，所述第一间隙空间用于对第一、三侧面半导体处理模块中与所述第一间隙空间相邻的处理腔进行检修维护；

其中第二、第四侧面半导体处理模块在沿传输腔的纵长方向上具有第二间隙空间，所述第二间隙空间用于对第二、第四侧面半导体处理模块中与所述第二间隙空间相邻的处理腔进行检修维护。

3.如权利要求2所述的半导体处理系统，其特征在于，所述第一或第二间隙空间中设置有至少一个暂存腔，所述暂存腔与所述传输腔相连通，用于存放基片或者处理腔内环状部件的替换件。

4.如权利要求3所述的半导体处理系统，其特征在于，所述第一和第二间隙空间中分别设置一个暂存腔。

5.如权利要求4所述的半导体处理系统，其特征在于，所述暂存腔具有不同的尺寸，所述暂存腔用于存放基片和/或处理腔内环状部件的替换件。

6.如权利要求3所述的半导体处理系统，其特征在于，所述暂存腔的前端侧壁穿过所述传输腔的侧壁伸入所述传输腔内。

7.如权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，所述端部半导体处理模块和/或侧面半导体处理模块中的两个处理腔集成为一体，具有共用的侧壁。

8.如权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，所述侧面半导体处理模块中的两个处理腔之间具有间隙，所述间隙小于100mm。

9.如权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，所述传输腔的第二端部包括逐渐向两侧半导体处理模块延伸的侧壁，使得第二端部中传输腔侧壁之间的距离从中间段的侧壁间距(D2)逐渐扩展到所述端面的宽度。

10.如权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，所述传输腔包括一个轨道，一个可移动机械传输装置可沿所述轨道运动，用于实现各个处理腔和所述真空锁之间的基片传输。

11.如权利要求10所述的半导体处理系统，其特征在于，所述可移动机械传输装置包括一个可移动基座和两个机械臂。

12.如权利要求10所述的半导体处理系统，其特征在于，所述可移动机械传输装置运动到与侧面半导体处理模块相对的位置时，取放所述位置相对的侧面半导体模块中的基片；运动到靠近所述第二端部位置时，取放端部半导体处理模块的基片。

13.如权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，所述侧面半导体处理模块或端部半导体处理模块中的处理腔具有不同的尺寸，用于执行不同的处理工艺。

14.如权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，所述侧面半导体处理模块和端部半导体处理模块中的处理腔执行相同的处理工艺。