[实用新型]热电堆芯片

说明书

涉及集成电路技术领域，本申请公开一种热电堆芯片，包括衬底、支撑层及位于所述支撑层的热电偶，支撑层设置有红外吸收层，所述衬底对应所述红外吸收层刻蚀有空穴，热电堆芯片还设置用作电极焊点的凹槽，凹槽从所述衬底延伸至所述支撑层，凹槽设置两个，且两个凹槽分别位于所述空穴的相对两侧，衬底厚度在20μm至30μm之间，所述支撑层包括氮化硅薄膜或氧化硅薄膜，氮化硅膜厚度5μm‑10μm，所述红外吸收层为碳化的光刻胶层，热电偶中的一支半导体为多晶硅条，所述热电偶中的一支半导体为铝条，本方案提供一种贴片式的热电堆芯片，解决现有引脚式芯片中引脚分压影响传感器校准精度的技术问题，提高芯片的封装效率，扩大芯片的应用范围。

技术领域

本申请总体来说涉及集成电路技术领域，具体而言，涉及一种热电堆芯片。

背景技术

TPS(Thermopile sensor)热电堆传感器芯片是一种基于塞贝克效应(两种不同的半导体材料首尾相接组成闭合回路，当两个结点温度不同产生温度差时，线路中会产生电流，并产生温差电动势)的红外类传感器。当红外线照射在芯片中心时，中心热结处温度升高，而热电堆芯片的边缘为冷结，即为环境温度，不随中心处升温而改变，因此中心热结和边缘冷结存在温度差，由此热电堆传感器芯片会输出一个电压值，此过程即芯片中心吸收红外辐射产生温升，并最终输出电压信号。

传统的热电偶芯片采用DIP封装形式，并且引入4个引脚，在器件工作时，引脚电阻引起的分压会对传感器的校准产生一定影响。

实用新型内容

在实用新型内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本申请内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了解决引脚电阻分压影响传感器校准精度的技术问题，本申请的主要目的在于，提供一种贴片式的热电堆芯片

为实现上述实用新型目的，本申请采用如下技术方案：

一种热电堆芯片，包括衬底、支撑层及位于所述支撑层的热电偶；

所述支撑层设置有红外吸收层，所述衬底对应所述红外吸收层刻蚀有空穴；

所述热电堆芯片还设置用作电极焊点的凹槽，所述凹槽从所述衬底延伸至所述支撑层。

进一步的，在本实用新型的一种实施例中，上述凹槽设置两个，且两个所述凹槽分别位于所述空穴的相对两侧。

两个凹槽分别作为热电堆的负电极焊点和正电极焊点。

进一步的，在本实用新型的一种实施例中，上述衬底厚度在20μm至30μm之间。

进一步的，在本实用新型的一种实施例中，上述支撑层包括氮化硅薄膜或氧化硅薄膜。

进一步的，在本实用新型的一种实施例中，上述氮化硅膜厚度5μm-10μm。

进一步的，在本实用新型的一种实施例中，上述红外吸收层为碳化的光刻胶层。

进一步的，在本实用新型的一种实施例中，上述热电偶设置有多个。

进一步的，在本实用新型的一种实施例中，上述热电偶中的一支半导体为多晶硅条。

进一步的，在本实用新型的一种实施例中，上述热电偶中的一支半导体为铝条。

进一步的，在本实用新型的一种实施例中，上述多晶硅条的两端分别位于衬底和支撑层。

由上述技术方案可知，本申请的热电堆芯片的优点和积极效果在于：

本方案提供一种贴片式的热电堆芯片，解决现有引脚式芯片中引脚分压影响传感器校准精度的技术问题，提高芯片的封装效率，扩大芯片的应用范围。