[实用新型]频率补偿电路有效

专利信息
申请号: 202020755187.7 申请日: 2020-05-09
公开(公告)号: CN212723773U 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: G·尼科利尼;S·波勒塞尔 申请(专利权)人: 意法半导体股份有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 董莘
地址: 意大利阿格*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 频率 补偿 电路
【说明书】:

一种频率补偿电路,包括第一晶体管和第二晶体管,第一晶体管和第二晶体管具有耦合到输入电流线的电流路径。第一晶体管和第二晶体管的电流路径经由相应的第一电阻器和第二电阻器而以地为基准,该第一电阻器和第二电阻器的电阻值是第一电阻值的两倍。第一晶体管是二极管式连接的。第三晶体管具有一电流路径,该电流路径耦合到输出电流线并且经由第三电阻器而以地为基准,第三电阻器具有第二电阻值,第二电阻值等于第一电阻值除以镜像因子。第一晶体管和第三晶体管的控制端子耦合在一起,并且还通过耦合电阻器耦合到第二晶体管的控制端子。第一电容器耦合在地与第二晶体管单元的控制端子之间。第二电容器耦合在地与穿过第三晶体管的电流路径之间。

技术领域

本描述涉及频率补偿电路。

一个或多个实施例可以应用于例如低压降(LDO,Low Drop Out)调节器设备。

背景技术

在电子领域,在电路中插入一个或多个极点-零点双峰(doublet)经常用于促进频率补偿任务。

这种补偿任务的示例性情况是,例如,在LDO用于对大型数字块供电时的LDO调节器频率补偿。在该情况下,对负载改变的快速反应(例如在最终值的10%内恢复)是理想的特征。

如果LDO配备有外部电容器,则可以通过对电容器串联添加外部电阻器,或者在可能的情况下利用电容器ESR的等效串联电阻(ESR)来创建极点-零点双峰(例如,参见J.Falin:“ESR,stability and the LDO regulator”,德州仪器应用报告SLVA 115,2002年5月)。

这可以表示昂贵的解决方案,并且以复杂和功耗昂贵的内部解决方案为代价而越来越多地使用无电容LDO(例如,参见KN Leung等人:“A capacitor-free CMOS low-dropout regulator with damping-factor-control frequency compensation”,IEEEJournal of Solid-state Circuits,第38卷,第10期,2003年10月,第1691-1702页)。

尽管在该领域中活动相当广泛,但仍需要进一步改进的解决方案。

实用新型内容

基于上述,本公开旨在克服或者减轻上述现有技术中存在的至少一个或多个技术问题。

在本公开的一个方面,提供一种频率补偿电路,该频率补偿电路包括:

第一晶体管,具有穿过第一晶体管的第一电流路径,第一电流路径通过第一电阻器而以地为基准;

第二晶体管,具有穿过第二晶体管的第二电流路径,第二电流路径通过第二电阻器而以地为基准;

其中第一电流路径和第二电流路径耦合到输入电流线,输入电流线被配置成由输入电流穿过;

其中第一晶体管以二极管布置被配置,其中第一晶体管的控制端子耦合到第一电流路径;

第三晶体管,具有穿过第三晶体管的第三电流路径,第三电流路径通过第三电阻器而以地为基准;

其中第三晶体管的控制端子耦合到第一晶体管的控制端子;

其中第三电流路径耦合到输出电流线,输出电流线被配置成由输出电流穿过;

其中输出电流经由电流镜像因子来镜像输入电流;

第四电阻器,耦合在第一晶体管的控制端子与第二晶体管的控制端子之间;

第一电容器,耦合在地与第二晶体管的控制端子之间;以及

第二电容器,在第三晶体管和第三电阻器中间的节点处,耦合在地与穿过第三晶体管的第三电流路径之间。

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