[实用新型]冲击电流抑制电路

说明书

本实用新型公开了一种冲击电流抑制电路，包括模拟直流电压源VDC、空气开关SS1和滤波电容C2，还包括MOS管Q1、驱动电路和功率电阻R3，所述驱动电路包括电阻R1、电阻R2和电容C1，所述电阻R1和电阻R2串联设于所述模拟直流电压源VDC的正极和负极之间，所述MOS管Q1的栅极经电阻R1与所述模拟直流电压源VDC的正极连接，MOS管Q1的源极和漏极串联于模拟直流电压源VDC的负极，所述功率电阻R3并联于MOS管Q1的源极和漏极之间，所述电容C1并联于MOS管Q1的源极和栅极之间，所述空气开关SS1设于模拟直流电压源VDC正极的输入端和电阻R1之间，所述滤波电容C2设于模拟直流电压源VDC正极和负极的输出端之间；本实用新型可有效抑制开机瞬间的母线冲击电流。

技术领域

本实用新型涉及电路设计技术领域，特别是一种冲击电流抑制电路。

背景技术

在电子设备中，由于滤波要求，需要使用大量的容性器件，由于电容两端电压不能突变的特性，在供电电源开机瞬间，电容相当于短路，电容充电时会在其供电母线上产生一个很大的冲击电流，该冲击电流过大会损坏前级电路器件，故需要对该冲击电流进行抑制。GJB181B-2012飞机供电特性5.4.9中对该冲击电流有明确要求：不能超过额定电流的5倍。MIL-STD-704飞机供电特性LDC101中规定冲击电流不能超过额定电流的6倍。目前较为广泛应用的冲击电流抑制电路是串联电阻或使用负温度特性的热敏电阻。但是串联电阻会长时间工作，降低电源的整体效率；负温度特性的热敏电阻在长时间工作后温度上升，阻值下降，在热开机时会出现失效现象。目前也有利用MOS管的变阻区特性抑制冲击电流的方法，但该方法对MOS管的安全工作区有较高要求，选型不当则很容易损坏MOS管。

实用新型内容

为解决现有技术中存在的问题，本实用新型的目的是提供一种冲击电流抑制电路，可有效抑制开机瞬间的母线冲击电流。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种冲击电流抑制电路，包括模拟直流电压源VDC、空气开关SS1和滤波电容C2，还包括MOS管Q1、驱动电路和功率电阻R3，所述驱动电路包括电阻R1、电阻R2和电容C1，所述电阻R1和电阻R2串联设于所述模拟直流电压源VDC的正极和负极之间，所述MOS管Q1的栅极经电阻R1与所述模拟直流电压源VDC的正极连接，MOS管Q1的源极和漏极串联于模拟直流电压源VDC的负极，所述功率电阻R3并联于MOS管Q1的源极和漏极之间，所述电容C1并联于MOS管Q1的源极和栅极之间，所述空气开关SS1设于模拟直流电压源VDC正极的输入端和电阻R1之间，所述滤波电容C2设于模拟直流电压源VDC正极和负极的输出端之间。

优选地，所述MOS管Q1为N沟道MOSFET。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型可有效抑制开机瞬间的母线冲击电流，并通过调节MOS管的RC充电时间常数，使得MOS管接近于零电压导通，降低MOS管导通时的电应力，使得MOS管选型时不再受安全工作区的限值，又能保证后级电源模块启动之前将MOS管完全导通。

附图说明

图1为本实用新型实施例的电路结构示意图；

图2为本实用新型实施例中MOS管导通前充电的等效电路图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明。

实施例