[实用新型]一种多士炉保护电路

权利要求书

1.一种多士炉保护电路，包括定时芯片U1、三极管Q1、电磁铁T、电源M和二极管D1，所述电源M连接二极管D1的阳极，二极管D1的阴极连接电阻R10，电阻R10的另一端连接电容EC1和电阻R11，电阻R11的另一端连接电阻R9、电容C3、电容E2和二极管Z1的阴极，电容EC1的另一端连接电容E2的另一端、电阻R9的另一端、电容C3的另一端、二极管Z1的阳极和开关K1，开关K1的另一端连接三极管Q1的基极和电阻R24，电阻R24的另一端通过电阻R3连接定时芯片U1，三极管Q1的集电极连接电磁铁T的负极和二极管D7的阳极，二极管D7的阴极连接电磁铁T的另一端，三极管Q1的发射极接地，其特征在于，所述二极管D7的阴极还连接场效应晶体管Q3的源极，场效应晶体管Q3的漏极连接电阻R1和电阻R10，电阻R1的另一端连接电阻R2和场效应晶体管Q3的栅极，电阻R2的另一端连接三极管Q2的集电极，三极管Q2的基极通过电阻R5连接定时芯片U2。

2.根据权利要求1所述的一种多士炉保护电路，其特征在于，所述定时芯片U1的型号为SL2512。

3.根据权利要求1所述的一种多士炉保护电路，其特征在于，所述定时芯片U2的型号为SL2512。

4.根据权利要求1所述的一种多士炉保护电路，其特征在于，所述二极管Z1为稳压二极管。

5.根据权利要求1-4任一所述的一种多士炉保护电路，其特征在于，所述场效应晶体管Q3为PMOS管。