[实用新型]射频器件有效
| 申请号： | 202020727716.2 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN211789401U | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | G·奥尔顿 | 申请（专利权）人： | 楼氏卡泽诺维亚公司 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20;H01P1/203;H01P3/10;H01P1/00;H01R4/64 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 师玮;王小东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射频 器件 | ||
1.一种射频器件，其特征在于，所述射频器件包括：
基板，其具有第一表面和与所述第一表面平行的第二表面，所述基板包括电绝缘材料；
射频组件，其设置在所述基板的所述第一表面上；
导电层，其设置在所述基板的所述第二表面上，所述导电层形成与所述射频组件电绝缘的接地平面；以及
缺陷接地结构，其设置在所述基板的表面上并且电连接到所述导电层，所述缺陷接地结构包括朝向所述射频组件延伸的多个构件。
2.根据权利要求1所述的射频器件，其特征在于，所述缺陷接地结构的所述多个构件包括设置在所述射频组件的第一侧的第一多个分立构件以及设置在所述射频组件的与所述第一侧相反的第二侧的第二多个分立构件。
3.根据权利要求1所述的射频器件，其特征在于，所述缺陷接地结构是关于所述射频组件的纵轴对称地配置的。
4.根据权利要求1所述的射频器件，其特征在于，所述多个构件中的至少一个构件具有扇形形状。
5.根据权利要求1所述的射频器件，其特征在于，所述多个构件中的至少一个构件具有T形形状。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的射频器件，其特征在于，所述射频器件还包括设置在所述基板的所述第一表面上的导电盖，所述导电盖与所述缺陷接地结构电联接，其中，所述导电盖覆盖所述射频组件。
7.根据权利要求6所述的射频器件，其特征在于，所述缺陷接地结构的谐振频率是所述缺陷接地结构的所述多个构件的尺寸的函数。
8.根据权利要求7所述的射频器件，其特征在于，所述缺陷接地结构的谐振频率高于所述射频组件的截止频率，其中，所述射频组件是低通滤波器。
9.根据权利要求7所述的射频器件，其中，所述缺陷接地结构的谐振频率具有1GHz至300GHz范围内的值。
10.根据权利要求7所述的射频器件，其特征在于，所述射频组件包括高通滤波器、带通滤波器、放大器和传输线中的至少一者。
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