[实用新型]光谱成像芯片及光谱识别设备有效
| 申请号: | 202020724845.6 | 申请日: | 2020-05-06 |
| 公开(公告)号: | CN211828773U | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
| 发明(设计)人: | 崔开宇;熊健;蔡旭升;朱鸿博;黄翊东;张巍;冯雪;刘仿 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01J3/02;G01J3/28 |
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 郑朝然 |
| 地址: | 100084 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光谱 成像 芯片 识别 设备 | ||
1.一种光谱成像芯片,其特征在于,包括:沿厚度方向顺次层叠设置的光调制层、图像传感层和信号处理电路层;其中
所述光调制层沿表面分布有至少一个调制单元,每个所述调制单元包括沿表面分布的多个调制子单元,每个所述调制子单元具有C4对称性;
所述图像传感层为CIS晶圆,所述图像传感层沿表面分布有多个感应单元,且每个所述调制子单元沿所述厚度方向分别至少对应一个所述感应单元;
所述信号处理电路层与所述感应单元电连接。
2.根据权利要求1所述的光谱成像芯片,其特征在于,每个所述调制单元中的至少一部分所述调制子单元具有沿厚度方向设置的多个调制孔,所述多个调制孔沿表面分布形成调制孔阵列。
3.根据权利要求2所述的光谱成像芯片,其特征在于,每个所述调制单元中的多个所述调制子单元具有所述调制孔,且每个所述调制单元中的多个所述调制子单元的所述调制孔的形状不同。
4.根据权利要求2所述的光谱成像芯片,其特征在于,任意两个所述调制单元中位于相同位置的所述调制子单元的所述调制孔阵列相同。
5.根据权利要求2所述的光谱成像芯片,其特征在于,所述光调制层包括沿所述厚度方向设置的至少一层子调制层。
6.根据权利要求1所述的光谱成像芯片,其特征在于,所述光调制层集成于所述图像传感层背离所述信号处理电路层的一侧。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的光谱成像芯片,其特征在于,所述图像传感层包括沿所述图像传感层的厚度方向连接的光探测层和第一信号处理层;所述光探测层和所述第一信号处理层中的一个连接在所述光探测层和所述第一信号处理层中的另一个与所述光调制层之间。
8.根据权利要求1-6任一项所述的光谱成像芯片,其特征在于,还包括:透光介质层,所述透光介质层位于所述光调制层与图像传感层之间。
9.根据权利要求1-6任一项所述的光谱成像芯片,其特征在于,还包括:透镜和滤光片中的至少一种,所述透镜和滤光片中的所述至少一种连接在所述光调制层的背离或靠近所述图像传感层的一侧。
10.一种光谱识别设备,其特征在于,包括:
如权利要求1-9任一项所述的光谱成像芯片,设置在待成像物体的一侧,所述光谱成像芯片用于接收来自于所述待成像物体的入射光,并利用所述调制单元和所述感应单元对所述入射光进行光调制以得到至少一个调制后的光谱,并对各个所述调制后的光谱的光强分别进行感应探测,从而分别确定各个像素点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





