[实用新型]一种可控硅控制装置有效

专利信息
申请号: 202020706949.4 申请日: 2020-04-30
公开(公告)号: CN211791240U 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: 周国顺 申请(专利权)人: 大连东软信息学院
主分类号: H02M1/06 分类号: H02M1/06;H02M5/257;H02M7/155;H03K17/72;G05B19/042
代理公司: 大连至诚专利代理事务所(特殊普通合伙) 21242 代理人: 涂文诗;邓珂
地址: 116000 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 可控硅 控制 装置
【说明书】:

本实用新型实施例公开了一种可控硅控制装置,其特征在于,包括:微处理器及其周边电路、可控硅控制芯片、可控硅光耦隔离驱动电路、可控硅主回路、数据采集模块以及网络接口电路;其中,所述可控硅光耦隔离驱动电路通过所述可控硅主回路电连接受控仪表;所述微处理器通过所述可控硅控制芯片电连接所述可控硅光耦隔离驱动电路;且所述微处理器通过数据采集模块连接至负载侧。本实用新型所述装置能够完成工业环境下的多种工况以完成设备的数字化精准温度控制,提高稳定性的同时用户通过内置的通用数字接口,实现自动换相控制。

技术领域

本实用新型涉及可控硅技术领域,尤其涉及一种可控硅控制装置。

背景技术

在国内,从事可控硅电力电子器件研究、制造,以及使用可控硅作为主功率器件的电力电子变流设备研究和生产的企业、事业单位有近千家,可控硅电力电子变流设备的用户几乎遍布全国各个工业部门。相对于发达国家,我国可控硅电力电子变流设备的研发、生产技术还比较薄弱。其中,三相可控硅控制技术是可控硅控制的核心技术之一,已经历了几个发展阶段。此前的可控硅控制技术基本上是采用PID调节仪辅以可控硅调整器、调功器的系统集成方法来完成相关参数的控制任务。

以往的模拟可控硅控制装置和准数字可控硅控制装置,其触发脉冲的控制角是通过用户提供的电压波形与内部提供的锯齿波比较或其他模拟控制量形成触发脉冲的,形成的触发脉冲控制角精度不高并且稳定性差。此外,因生产和工艺需要,许多设备需要频繁启动、制动、反转、变速,其中反转操作由于目前需要人为干预或复杂的电路而极为费时费力。

发明内容

基于此,为解决现有技术存在的不足,特提出了一种可控硅控制装置。

一种可控硅控制装置,其特征在于,包括:微处理器及其周边电路、可控硅控制芯片、可控硅光耦隔离驱动电路、可控硅主回路、数据采集模块以及网络接口电路;其中,所述可控硅光耦隔离驱动电路通过所述可控硅主回路电连接受控仪表;所述微处理器通过所述可控硅控制芯片电连接所述可控硅光耦隔离驱动电路;且所述微处理器通过数据采集模块连接至负载侧。

可选的,在其中一个实施例中,所述微处理器采用Freescale K60系列微处理器及周边电路;所述周边电路至少包括与所述Freescale K60系列微处理器电连接的复位电路以及时钟电路。

可选的,在其中一个实施例中,所述可控硅控制芯片采用DTC6124M可控硅专用控制芯片。

可选的,在其中一个实施例中,所述网络接口电路至少包括HMI接口电路、RS485接口电路以及以太网接口电路。

可选的,在其中一个实施例中,所述装置还包括多路AD转换电路。

实施本实用新型实施例,将具有如下有益效果:

本实用新型所述装置能够完成工业环境下的多种工况以完成设备的数字化精准温度控制,提高稳定性的同时用户通过内置的通用数字接口,实现自动换相控制。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

其中:

图1为一个实施例中所述可控硅控制装置结构示意图;

图2为一个实施例中所述可控硅控制装置具体实例对应的结构示意图;

图3为一个实施例中所述可控硅控制装置的Freescale K60系列微处理器及周边电路对应的结构示意图;

图4为一个实施例中所述可控硅控制装置的可控硅光耦隔离驱动电路图;

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