[实用新型]一种用于硅片污染物回收的吸嘴装置有效
| 申请号: | 202020704346.0 | 申请日: | 2020-04-30 |
| 公开(公告)号: | CN211788936U | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
| 发明(设计)人: | 朴灵绪 | 申请(专利权)人: | 苏州恩腾半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246 | 代理人: | 朱斌兵 |
| 地址: | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 硅片 污染物 回收 装置 | ||
1.一种用于硅片污染物回收的吸嘴装置,其特征在于:包括可上下移动相连的上吸嘴组件和下吸嘴组件;
所述上吸嘴组件包括扫描托架;所述扫描托架内的中心处设有用于抽吸和排出溶解液的内部吸嘴;在所述扫描托架上还设有两个气体注入部、气体排出部和压力测量部;
所述下吸嘴组件包括呈中空状的外部吸嘴支架;在所述外部吸嘴支架内设有呈中空状的外部吸嘴;所述外部吸嘴与外部吸嘴支架内壁的上部紧密配合,且所述外部吸嘴与外部吸嘴支架内壁的下部之间留有第一间隙;所述外部吸嘴的上部两侧开有第一通道,且所述第一通道与第一间隙相通;
所述内部吸嘴设置在外部吸嘴内,且两个所述气体注入部分别通过对应的第一通道与第一间隙相通;所述气体排出部和压力测量部与外部吸嘴的中空内部相通。
2.根据权利要求1所述的用于硅片污染物回收的吸嘴装置,其特征在于:所述内部吸嘴上设有用于供给溶解液的供给部以及用于在抽吸后排出溶解液的排出部,且所述供给部和排出部与外部吸嘴的中空内部相通。
3.根据权利要求1所述的用于硅片污染物回收的吸嘴装置,其特征在于:两个所述气体注入部位于内部吸嘴的两侧。
4.根据权利要求3所述的用于硅片污染物回收的吸嘴装置,其特征在于:所述气体排出部和所述压力测量部分别位于两个气体注入部的一侧。
5.根据权利要求1所述的用于硅片污染物回收的吸嘴装置,其特征在于:所述第一通道包括位于外部吸嘴两侧的沉孔和通孔;且所述通孔和沉孔通过外部吸嘴两侧的凹槽相通,且所述通孔与第一间隙相通。
6.根据权利要求1所述的用于硅片污染物回收的吸嘴装置,其特征在于:所述上吸嘴组件和所述下吸嘴组件之间可通过锁紧组件固定相连;所述锁紧组件包括设置在扫描托架上的电磁体,在所述外部吸嘴支架上的对应位置处设有与电磁体产生磁性反应的金属。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





