[实用新型]一种制备管状晶体材料的坩埚

说明书

一种制备管状晶体材料的坩埚，涉及新材料技术领域，本实用新型通过在坩埚内套（6）的上方设置过渡件（4），然后在过渡件上设置硅料放置槽（3），可以实现多晶硅料在加料过程中使多晶硅料平稳的加到坩埚熔化区域内，避免了因加料时引起的熔液表面波动严重的状况，然后在坩埚内套的外缘面与坩埚外套内缘面之间设置流料槽（9），坩埚内的固体颗粒在硅料放置槽内熔化成熔液，熔液依次经上流液孔、下流液孔和流料槽流出到管状籽晶上，进而实现管状晶体的拉制，本实用新型具有结构简单，生产效率高、成本低、结构设计合理等优点，特别适合大范围的推广和应用。

【技术领域】本实用新型涉及新材料技术领域，具体涉及一种制备管状晶体材料的坩埚。

【背景技术】

已知的，新材料产业具有技术高度密集，研究与开发投入高，产品的附加值高，生产与市场的国际性强，以及应用范围广，发展前景好等特点，其研发水平及产业化规模已成为衡量一个国家经济，社会发展，科技进步和国防实力的重要标志，世界各国特别是发达国家都十分重视新材料产业的发展。以靶材为例，基于物理气相沉积原理的溅射镀膜工艺，已广泛应用于液晶显示设备、太阳能电池、太阳能真空管、半导体芯片等技术领域；而旋转型靶材是溅射镀膜工艺中常用的一种镀膜耗材，旋转型靶材一般由管状金属基材和镀膜材料层构成，正常做法是在管状金属基材外表面进行表面清洗或者吹砂完后就直接喷涂镀膜材料层，这种产品存在的问题是由于是喷涂作业，材料的致密度无法达到材料的理论密度。在使用过程中，其使用寿命会降低。同时由于致密度较低，在镀膜过程中需要降低功率使用，进而影响了生产效率；同时由于喷涂工艺的具体要求，其所使用的硅粉的纯度不够，进而导致靶材的整体纯度较低进而影响镀膜质量。

另一种工艺是在一个完整的锭型或棒形材料上用掏料装置掏出一个空心管料，通过磨抛加工后将管料绑定在管状金属基材上，该工艺具有生产效率低，生产成本高及由于掏料工艺限制管料长度较短等缺点，成本限制无法得到大范围的推广和应用，因此，制备管状晶体的装置就成了本领域技术人员的研究方向，而在整个装置中，坩埚是其中的重要部件之一，那么，如何提供一种制备管状晶体材料的坩埚就成了本领域技术人员的长期技术诉求。

【发明内容】

鉴于背景技术中存在的不足，本实用新型公开了一种制备管状晶体材料的坩埚，本实用新型通过在坩埚内套的上方设置过渡件，然后在过渡件上设置硅料放置槽，可以实现多晶硅料在加料过程中使多晶硅料平稳的加到坩埚熔化区域内，坩埚内的固体颗粒在硅料放置槽内熔化成熔液，熔液依次经上流液孔、下流液孔和流料槽流出到管状籽晶上，进而实现管状晶体的拉制，本实用新型具有结构简单，生产效率高、成本低、结构设计合理等优点，特别适合大范围的推广和应用。

为了实现上述发明的目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种制备管状晶体材料的坩埚，包括坩埚外套、过渡件和坩埚内套，在所述坩埚外套的底部设有坩埚内套，在坩埚内套的外缘面与坩埚外套内缘面之间设有流料槽，在坩埚内套上方的坩埚外套内缘面上设有过渡件，所述过渡件的外缘面与坩埚外套内缘面之间设有下流液孔形成所述的制备管状晶体材料的坩埚。

所述的制备管状晶体材料的坩埚，所述过渡件的上端面设有向上延伸的硅料放置槽，在所述硅料放置槽外缘面的下部设有复数个上流液孔。

所述的制备管状晶体材料的坩埚，所述过渡件包括圆环形主体和半球形盖，在所述圆环形主体的上端设有半球形盖形成半球形过渡件。

所述的制备管状晶体材料的坩埚，所述过渡件的替换结构为过渡件包括圆环形主体和锥形盖，在所述圆环形主体的上端设有锥形盖形成锥形过渡件。

所述的制备管状晶体材料的坩埚，所述流料槽的宽度为0.01mm～10mm。

所述的制备管状晶体材料的坩埚，所述流料槽的替换结构为在坩埚内套的底部或坩埚外套内缘面的底部设有复数个流料孔，复数个流料孔呈圆形排列。

所述的制备管状晶体材料的坩埚，所述流料孔的直径为0.01mm～10mm。