[实用新型]一种耐潮湿型FIW完全绝缘线有效
| 申请号: | 202020685340.3 | 申请日: | 2020-04-29 |
| 公开(公告)号: | CN212624891U | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
| 发明(设计)人: | 王金斗 | 申请(专利权)人: | 安顺市乾辰谷材科技有限公司 |
| 主分类号: | H01B7/28 | 分类号: | H01B7/28;H01B7/02;H01B7/17;H01B7/18;H01B7/29;H01B9/02;H01B9/00 |
| 代理公司: | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人: | 彭涛;刘曰莹 |
| 地址: | 561000 贵州省安*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 潮湿 fiw 完全 绝缘线 | ||
1.一种耐潮湿型FIW完全绝缘线,其特征在于,包括:导体,包覆于所述导体表面的基础绝缘层,包覆于所述基础绝缘层上的耐压绝缘层,包覆于所述耐压绝缘层上的屏蔽绝缘层,包覆于所述屏蔽绝缘层上的耐磨绝缘层;
所述基础绝缘层包括:第一聚氨酯材料层、第一硫酸钙材料层、第一三氧化二铁材料层,所述第一聚氨酯材料层、第一硫酸钙材料层、第一三氧化二铁材料层相互叠加,和/或,相互拼接以形成基础绝缘层;
所述耐压绝缘层包括:第二聚氨酯材料层、第二硫酸钙材料层、第二三氧化二铁材料层,所述第二聚氨酯材料层、第二硫酸钙材料层、第二三氧化二铁材料层相互叠加,和/或,相互拼接以形成耐压绝缘层;
所述屏蔽绝缘层包括:第三聚氨酯材料层、第三硫酸钙材料层、屏蔽材料层、第三三氧化二铁材料层,所述第三聚氨酯材料层、第三硫酸钙材料层、屏蔽材料层、第三三氧化二铁材料层相互叠加,和/或,相互拼接以形成屏蔽绝缘层;
所述耐磨绝缘层包括:尼龙聚氨酯漆材料层、第四硫酸钙材料层、第四三氧化二铁材料层,所述尼龙聚氨酯漆材料层、第四硫酸钙材料层、第四三氧化二铁材料层相互叠加,和/或,相互拼接以形成耐磨绝缘层。
2.根据权利要求1所述的一种耐潮湿型FIW完全绝缘线,其特征在于,所述基础绝缘层还包括:聚烯烃弹性体层,所述聚烯烃弹性体层、所述第一聚氨酯材料层、第一硫酸钙材料层、第一三氧化二铁材料层相互叠加,和/或,相互拼接以形成基础绝缘层。
3.根据权利要求1所述的一种耐潮湿型FIW完全绝缘线,其特征在于,所述耐压绝缘层还包括:氧化锌材料层,所述氧化锌材料层、第二聚氨酯材料层、第二硫酸钙材料层、第二三氧化二铁材料层相互叠加,和/或,相互拼接以形成耐压绝缘层。
4.根据权利要求1所述的一种耐潮湿型FIW完全绝缘线,其特征在于,所述耐磨绝缘层还包括:二氧化硅材料层,所述二氧化硅材料层、所述尼龙聚氨酯漆材料层、第四硫酸钙材料层、第四三氧化二铁材料层相互叠加,和/或,相互拼接以形成耐磨绝缘层。
5.根据权利要求1-4任一项所述的一种耐潮湿型FIW完全绝缘线,其特征在于,所述基础绝缘层还包括:第一乙撑双硬脂酰胺材料层,所述第一乙撑双硬脂酰胺材料层、第一聚氨酯材料层、第一硫酸钙材料层、第一三氧化二铁材料层相互叠加,和/或,相互拼接以形成基础绝缘层;
所述耐压绝缘层还包括:第二乙撑双硬脂酰胺材料层,所述第二乙撑双硬脂酰胺材料层、第二聚氨酯材料层、第二硫酸钙材料层、第二三氧化二铁材料层相互叠加,和/或,相互拼接以形成耐压绝缘层;
所述屏蔽绝缘层还包括:第三乙撑双硬脂酰胺材料层,所述第三乙撑双硬脂酰胺材料层、第三聚氨酯材料层、第三硫酸钙材料层、屏蔽材料层、第三三氧化二铁材料层相互叠加,和/或,相互拼接以形成屏蔽绝缘层;
所述耐磨绝缘层还包括:第四乙撑双硬脂酰胺材料层,所述第四乙撑双硬脂酰胺材料层、尼龙聚氨酯漆材料层、第四硫酸钙材料层、第四三氧化二铁材料层相互叠加,和/或,相互拼接以形成耐磨绝缘层。
6.根据权利要求1-4任一项所述的一种耐潮湿型FIW完全绝缘线,其特征在于,所述基础绝缘层还包括:第一氯化钙材料层,所述第一氯化钙材料层、第一聚氨酯材料层、第一硫酸钙材料层、第一三氧化二铁材料层相互叠加,和/或,相互拼接以形成基础绝缘层;
所述耐压绝缘层还包括:第二氯化钙材料层,所述第二氯化钙材料层、第二聚氨酯材料层、第二硫酸钙材料层、第二三氧化二铁材料层相互叠加,和/或,相互拼接以形成耐压绝缘层;
所述屏蔽绝缘层还包括:第三氯化钙材料层,所述第三氯化钙材料层、第三聚氨酯材料层、第三硫酸钙材料层、屏蔽材料层、第三三氧化二铁材料层相互叠加,和/或,相互拼接以形成屏蔽绝缘层;
所述耐磨绝缘层还包括:第四氯化钙材料层,所述第四氯化钙材料层、尼龙聚氨酯漆材料层、第四硫酸钙材料层、第四三氧化二铁材料层相互叠加,和/或,相互拼接以形成耐磨绝缘层。
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