[实用新型]一种单端全屏蔽小型真空灭弧室

说明书

本实用新型公开了一种单端全屏蔽小型真空灭弧室，其属于真空灭弧室技术领域，包括瓷壳和设置于所述瓷壳内部的屏蔽筒、静均压罩和动均压罩，所述屏蔽筒的第一端与所述静均压罩插接形成全屏蔽结构，所述屏蔽筒的第二端与所述动均压罩间隔设置形成开放式结构，所述第一端的边缘向所述屏蔽筒的内侧弯折形成第一卷边结构。全屏蔽结构可以完全屏蔽开断过程中电弧燃烧产生的金属蒸汽对瓷壳的静端造成的污染，有效提高开断后瓷壳绝缘水平。只对瓷壳的静端进行全屏蔽，减小屏蔽筒的尺寸，进而减小瓷壳的径向和轴向尺寸，缩小真空灭弧室的体积。第一卷边结构能够显著降低屏蔽筒与静均压罩两者端口处的局部电场强度，同时进一步加强对金属蒸汽的屏蔽作用。

技术领域

本实用新型涉及真空灭弧室技术领域，尤其涉及一种单端全屏蔽小型真空灭弧室。

背景技术

激烈的市场竞争要求真空开关向高性能、小型化、低成本的方向发展，作为真空开关的核心器件真空灭弧室也必然面临小型化的压力。

如图1所示，真空灭弧室一般包括瓷壳11、设置于瓷壳11两端的静盖板12和动盖板13、设置于瓷壳11内的屏蔽筒14、静均压罩15和动均压罩16，静导电杆17和动导电杆18均位于屏蔽筒14的中心位置处。由于屏蔽筒14的两端与静均压罩15和动均压罩16间隔设置，使得电弧燃烧过程中产生的金属蒸汽会对瓷壳11造成污染，对瓷壳11的绝缘水平产生影响。由于动导电杆18上套设有波纹管19，而波纹管19的直径尺寸受机械寿命的限制很难做小，使得屏蔽筒14和瓷壳11的直径较大，不符合小型化的发展趋势。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种单端全屏蔽小型真空灭弧室，以解决现有技术中存在的电弧燃烧过程中产生的金属蒸汽会对瓷壳造成污染以及真空灭弧室体积较大的技术问题。

如上构思，本实用新型所采用的技术方案是：

一种单端全屏蔽小型真空灭弧室，包括瓷壳和设置于所述瓷壳内部的屏蔽筒、静均压罩和动均压罩，所述屏蔽筒的第一端与所述静均压罩插接形成全屏蔽结构，所述屏蔽筒的第二端与所述动均压罩间隔设置形成开放式结构，所述第一端的边缘向所述屏蔽筒的内侧弯折形成第一卷边结构。

其中，所述第一端向所述屏蔽筒的内侧弯折形成第一挡止部。

其中，所述第一挡止部的边缘沿所述屏蔽筒的轴向延伸形成伸长部，所述伸长部与所述静均压罩插接，所述伸长部的边缘形成所述第一卷边结构。

其中，所述静均压罩的直径大于所述伸长部的直径，所述静均压罩与所述伸长部之间沿径向形成间隙。

其中，所述静均压罩的边缘向所述静均压罩的内侧弯折形成第二卷边结构。

其中，还包括动导电杆和套设于所述动导电杆上的波纹管，所述波纹管位于所述屏蔽筒的外部。

其中，所述第二端向所述屏蔽筒的内侧弯折形成第二挡止部。

其中，所述动导电杆上于所述波纹管靠近所述屏蔽筒的一侧设置有屏蔽罩，所述屏蔽罩的直径大于所述第二挡止部的边缘处的直径。

其中，所述动均压罩套设于所述波纹管的外侧。

本实用新型的有益效果：

本实用新型提出的单端全屏蔽小型真空灭弧室，通过将屏蔽筒的第一端与静均压罩插接形成全屏蔽结构，可以完全屏蔽开断过程中电弧燃烧产生的金属蒸汽对瓷壳的静端造成的污染，有效提高了开断后瓷壳内绝缘水平。屏蔽筒的第二端与动均压罩间隔设置形成开放式结构，只对瓷壳的静端进行全屏蔽，减小屏蔽筒的尺寸，进而可以减小瓷壳的径向和轴向尺寸，缩小真空灭弧室的体积。第一卷边结构能够显著降低屏蔽筒与静均压罩两者端口处的局部电场强度，同时进一步加强对金属蒸汽的屏蔽作用。

附图说明

图1是现有的真空灭弧室的示意图；