[实用新型]一种基于NMOS的低功耗冗余均流电路

权利要求书

1.一种基于NMOS的低功耗冗余均流电路，应用于负载侧，其特征在于，包括第一供电端、第二供电端、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻、第二电阻、开关电源和控制电路；所述第一供电端的正极、所述第二供电端的正极、所述开关电源的正极与负载的正极连接；所述开关电源的负极接地；所述开关电源为所述控制电路供电；所述第一供电端的负极与所述第一NMOS管的漏极连接；所述第一电阻的第一端和所述控制电路的第一输入端与所述第一NMOS管的源极连接；所述第一NMOS管的栅极与所述控制电路的第一控制端连接；所述第二供电端的负极与所述第二NMOS管的漏极连接；所述第二电阻的第一端和所述控制电路的第二输入端与所述第二NMOS管的源极连接；所述第二NMOS管的栅极与所述控制电路的第二控制端连接；所述第一电阻的第二端、所述第二电阻的第二端和所述负载的负极与地电位连接。

2.根据权利要求1所述的低功耗冗余均流电路，其特征在于，所述控制电路包括第三电阻、第一电容、第二电容、第一光电耦合器、第二光电耦合器、第一二极管、第二二极管和运算放大器；所述运算放大器的同相输入端与所述第二电阻的第一端连接；所述运算放大器的反相输入端与所述第一电阻的第一端连接；所述第三电阻的第一端和所述第一电容的第一端与所述运算放大器的反相输入端连接；所述第三电阻的第二端与所述第二电容的第一端连接；所述第一电容的第二端和所述第二电容的第二端与所述运算放大器的输出端连接；所述运算放大器的正极与所述开关电源的Vcc端连接；所述运算放大器的负极与所述开关电源的Vee端连接；所述第一二极管的正极和所述第一光电耦合器的负极与所述运算放大器的输出端连接；所述第一光电耦合器的正极与所述第一二极管的负极连接；所述第二二极管的负极和所述第二光电耦合器的正极与所述第一二极管的负极连接；所述第二二极管的正极和所述第二光电耦合器的负极连接；所述第二NMOS管的栅极与所述第一光电耦合器的集电极和所述开关电源的Vcc端连接；所述第一NMOS管的栅极与所述第二光电耦合器的集电极和所述开关电源的Vcc端连接；所述第一光电耦合器的发射极和所述第二光电耦合器的发射极接地。

3.根据权利要求2所述的低功耗冗余均流电路，其特征在于，所述控制电路还包括第四电阻、第五电阻、第六电阻和第七电阻；所述第四电阻的第一端与所述第二NMOS管的源极连接；所述第四电阻的第二端与所述运算放大器的同相输入端连接；所述第五电阻的第一端与所述第一NMOS管的源极连接；所述第五电阻的第二端与所述运算放大器的反相输入端连接；所述第六电阻的第一端与所述开关电源的Vcc端连接；所述第六电阻的第二端分别与所述第一光电耦合器的集电极和所述第二NMOS管的栅极连接；所述第七电阻的第一端与所述开关电源的Vcc端连接；所述第七电阻的第二端分别与所述第二光电耦合器的集电极和所述第一NMOS管的栅极连接。

4.根据权利要求1所述的低功耗冗余均流电路，其特征在于，所述低功耗冗余均流电路还包括第一稳压二极管和第二稳压二极管；所述第一稳压二极管的正极与所述第一NMOS管的源极连接；所述第一稳压二极管的负极与所述第一NMOS管的栅极连接；所述第二稳压二极管的正极与所述第二NMOS管的源极连接；所述第二稳压二极管的负极与所述第二NMOS管的栅极连接。

5.根据权利要求1所述的低功耗冗余均流电路，其特征在于，所述低功耗冗余均流电路还包括设置在所述第一供电端正负极之间的第一欠压检测电路和设置在所述第二供电端正负极之间的第二欠压检测电路；所述第一欠压检测电路与所述控制电路的第三控制端连接；所述第一欠压检测电路与所述控制电路的第四控制端连接。

6.根据权利要求5所述的低功耗冗余均流电路，其特征在于，所述第一欠压检测电路包括第八电阻、第三稳压二极管、第三光电耦合器和第三二极管；所述第八电阻的第一端与所述第一供电端的正极连接；所述第八电阻的第二端与所述第三稳压二极管的负极连接；所述第三稳压二极管的正极与所述第三光电耦合器的正极连接；所述第三光电耦合器的负极与所述第一供电端的负极连接；所述第三光电耦合器的集电极与所述第三二极管的负极连接；所述第三二极管的正极接地；所述第三光电耦合器的发射极与所述控制电路的第三控制端连接。

7.根据权利要求5所述的低功耗冗余均流电路，其特征在于，所述第二欠压检测电路包括第九电阻、第四稳压二极管、第四光电耦合器和第四二极管；所述第九电阻的第一端与所述第二供电端的正极连接；所述第九电阻的第二端与所述第四稳压二极管的负极连接；所述第四稳压二极管的正极与所述第四光电耦合器的正极连接；所述第四光电耦合器的负极与所述第二供电端的负极连接；所述第四光电耦合器的发射极与所述第四二极管的正极连接；所述第四二极管的负极接地；所述第四光电耦合器的集电极与所述控制电路的第四控制端连接。