[实用新型]一种变频器及其散热结构

说明书

本实用新型提供了一种变频器，所述变频器包括：壳体，所述壳体内部设有一容纳空间，所述壳体底部形成安装部，所述安装部包括朝向所述容纳空间的内侧面、以及与所述内侧面相背设置的外侧面；容纳于所述容纳空间的热源元件，所述热源元件与所述内侧面紧密贴合；安装于所述安装部的散热装置，所述散热装置的一侧与所述外侧面紧密贴合，所述散热装置远离所述安装部的另一侧形成若干间隔设置的散热鳍片，两两所述散热鳍片之间形成供气流流通的流道。此外，本实用新型还提供了一种变频器的散热结构。

技术领域

本实用新型涉及变频器技术领域，尤其涉及一种变频器及其散热结构。

背景技术

绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是由双极型三极管BJT和绝缘栅型场效应管MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点。同时，IGBT模块内部集成了逻辑、控制、检测和保护电路等功能，适应了当今功率电器模块化、复合化和功率集成电路的发展方向，在电力电子领域得到了越来越广泛的应用。

应用于变频器的IGBT模块在使用过程中会产生大量热量，使变频器温度升高，从而影响变频器的运作。因此，在IGBT模块使用过程中需要及时将其产生的热量散发出去。传统的变频器通常采用在变频器中安装风扇为IGBT模块散热。但在变频器中安装风扇，使得变频器体积增大，不利于变频器的安装使用。

因此，IGBT模块的散热是亟需解决的问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种变频器及其散热结构，直接利用散热鳍片为热源元件进行散热。

第一方面，本实用新型实施例提供一种变频器，所述变频器包括：

壳体，所述壳体内部设有一容纳空间，所述壳体底部形成安装部，所述安装部包括朝向所述容纳空间的内侧面、以及与所述内侧面相背设置的外侧面；

容纳于所述容纳空间的热源元件，所述热源元件与所述内侧面紧密贴合；

安装于所述安装部的散热装置，所述散热装置的一侧与所述外侧面紧密贴合，所述散热装置远离所述安装部的另一侧形成若干间隔设置的散热鳍片，两两所述散热鳍片之间形成供气流流通的流道。

第二方面，本实用新型实施例提供一种变频器的散热结构，所述变频器包括壳体、电路板、以及设置于所述电路板的热源元件，所述散热结构包括：

形成于所述壳体底部的安装部，所述安装部包括朝向所述电路板内侧面、以及与所述内侧面相背设置的外侧面，所述热源元件与所述内侧面紧密贴合；

安装于所述安装部的散热装置，所述散热装置的一侧与所述外侧面紧密贴合，所述散热装置远离所述安装部的另一侧形成若干间隔设置的散热鳍片，两两所述散热鳍片之间形成供气流流通的流道。

上述变频器及其散热结构，通过在变频器壳体底部安装散热装置，为热源元件散除热量的同时不会占用变频器内部的容纳空间。

附图说明

图1为实用新型实施例提供的变频器的分解示意图。

图2为实用新型实施例提供的变频器的纵向剖面图。

图3为实用新型实施例提供的变频器的横向剖面图。

具体实施方式

为使得对本实用新型的内容有更清楚及更准确的理解，现将结合附图详细说明。说明书附图示出本实用新型的实施例的示例，其中，相同的标号表示相同的元件。可以理解的是，说明书附图示出的比例并非本实用新型实际实施的比例，其仅为示意说明为目的，并非依照原尺寸作图。