[实用新型]一种新型双通路小型化半导体浪涌防护器件

说明书

本实用新型涉及一种新型双通路小型化半导体浪涌防护器件，包括半导体芯片、金属电极和包覆器件的塑封体，其中，在半导体芯片正面有半导体芯片金属焊接区PAD一、二，下方有铜框架基岛；二金属铜电极一、二分别连接在金属焊接区PAD一、二上；在二金属铜电极一、二和铜框架基岛底面分别引出金属引脚。本实用新型不但小型化，而且可以单颗器件在应用电路中实现共模和差模防护。具有小型化、生产工艺稳定、高可靠性、生产效率高、美观等优点来满足未来的器件小型化的发展趋势。产品外形及引脚尺寸可根据实际应用电路中PCB版的要求进行调整，更加灵活，适用性更广阔。

技术领域

本实用新型属于半导体分立器件领域，具体涉及一种新型双通路小型化半导体浪涌防护器件的技术领域。

背景技术

随着5G时代的到来，未来电子设备会往精密化、集成化方向发展，为适应电子设备小型化、集成化需求，对电子设备中防护器件小型化要求日趋紧迫。

晶闸管浪涌保护器或半导体放电管（Thyristor Surge Suppresser，简称TSS）是一种开关型的过电压保护器件，具有精确导通、快速响应、浪涌吸收能力强、可靠性高等特点；是基于半导体晶闸管开关特性，并联在电路中应用，TSS两端偏压低于击穿电压时呈高阻态，相当于断路；当出现高于击穿电压的过压事件发生时立刻响应，变为低阻态，且电阻极低，相当于短路，过压引起的浪涌会及时通过TSS被转移到地。

瞬态电压抑制器（Transient Voltage Suppressor，简称TVS）是一种普遍使用的过压保护器件，它具有响应快，大通流，体积小，漏电流小，可靠性高等优点，是一种必不可少的保护类器件。

浪涌（Electrical Surge），就是瞬间出现超出稳定值的峰值，它包括浪涌电压和浪涌电流。本质上讲，浪涌是发生在仅仅几百万分之一秒时间内的一种剧烈脉冲。可能引起浪涌的原因有：雷击、电力线搭接、汽车抛负载等等。

共模和差模，应用电路中电压电流的变化通过导线传输时有二种形态，我们将此称作共模和差模。设备的电源线、电话等的通信线，与其它设备或外围设备相互交换的通讯线路，至少有两根导线，这两根导线作为往返线路输送电力或信号。但在这两根导线之外通常还有第三导体，这就是地线。干扰电压和电流分为两种：一种是两根导线分别作为往返线路传输(差模干扰)；另一种是两根导线做去路，地线做返回路传输（共模干扰）。应用电路中可以通过增加浪涌防护器件对电路进行共模和差模防护。

传统的浪涌防护器件是单路器件，共模和差模防护需要多颗器件组合的方式来实现。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种新型双通路小型化浪涌防护器件，可以单颗器件在应用电路中实现共模和差模防护。

本实用新型目的通过下述方案实现：一种新型双通路小型化浪涌防护器件，包括半导体芯片、金属电极和包覆器件的塑封体，其中，

在半导体芯片正面有半导体芯片金属焊接区PAD一、二，下方有铜框架基岛；

二金属铜电极一、二分别连接在金属焊接区PAD一、二上；

在二金属铜电极一、二和铜框架基岛底面分别引出金属引脚。

本实用新型不但小型化，而且可以单颗器件在应用电路中实现共模和差模防护。内部的铜框架基岛、金属引脚尺寸和间距可根据芯片版面及外形尺寸要求调整。

在上述方案基础上，在半导体芯片正面通过包括却不限于铜丝键合植球，电镀方式与铜金属电极相连。

本实用新型提供新型双通路小型化浪涌防护器件按下述步骤制备：

步骤A：将半导体芯片背面和铜框架基岛焊接；

步骤B：在步骤A后，在半导体芯片正面与铜金属电极相连；