[实用新型]一种化学气相沉积装置有效
申请号: | 202020609104.3 | 申请日: | 2020-04-20 |
公开(公告)号: | CN213624376U | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 祝巍;马萍萍 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | C23C16/503 | 分类号: | C23C16/503;C23C16/26;C23C16/30;C23C16/28 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化学 沉积 装置 | ||
本实用新型提供了一种化学气相沉积装置,包括反应腔体、阴极、阳极、电源、反应衬底、机械泵、加热装置和冷却装置;本申请还提供了利用化学气相沉积装置进行化学气相沉积的方法。本实用新型在化学气相沉积反应中直接采用直流辉光引入等离子体,一方面可以大幅提高化学气相沉积的效率,降低反应温度,降低成本,提高品质等;另一方面利用直流辉光产生等离子体既直接作用于反应区域,成本又低。因此本实用新型不仅适合于研究化学气相反应的机制,也适用于大规模生产,特别是石墨烯的生产。
技术领域
本实用新型涉及化学气相沉积技术领域,尤其涉及一种化学气相沉积装置。
背景技术
化学气相沉积法(CVD)是一种利用化学反应,将气体或者固/液态源气化反应生成所需产物,一般需要在真空环境和一定温度下进行,产物一般会沉积在特定衬底上。经过多年的发展,CVD方法不仅是一种非常重要的科学研究手段,也已经在工业化生产方面有了一定的规模;特别是近年来在石墨烯的生长方面,是高品质石墨烯生产非常重要的一种方法。
CVD法的反应源需要经过分解,其中加热分解是最常用的方法,但很多反应源需要加热到很高的温度(比如高于1000℃)才能分解,而且分解效率较低,因此普通CVD方法的效率较低,成本较高。为了提高效率,有人在化学气相沉积的过程中引入了等离子体来提高气体的分解效率,可以大大提高产品生长速率,有些产品还能降低生长温度。产生等离子体的方法有很多种,比如高温、高电压、微波、等离子体枪等等。
虽然等离子体可以有效增强化学气相沉积的效率,但是等离子体的产生也会增加新的成本,目前尚未见到有一种低成本高效率的等离子体增强化学气相沉积的设备与方法。
实用新型内容
本实用新型解决的技术问题在于提供一种化学气相沉积装置,该装置可以高效低成本实现化学气相沉积。
有鉴于此,本申请提供了一种化学气相沉积装置,包括反应腔体、阴极、阳极、电源、反应衬底、机械泵、加热装置和冷却装置;
所述阴极、所述阳极和所述反应衬底设置于所述反应腔体内;所述阴极和所述阳极用于产生等离子体,所述阴极与所述阳极相对设置,所述反应衬底设置于所述阴极和所述阳极之间;
所述电源与所述阴极、所述阳极相连接;
所述机械泵与所述反应腔体相连接;
所述加热装置用于加热所述反应腔体;
所述冷却装置用于冷却反应腔体。
优选的,所述阴极和所述阳极均为内部中空的结构。
优选的,所述加热装置为设置于所述反应腔体外的加热丝或加热套,或设置于反应腔体内部。
优选的,所述冷却装置为外绕于所述反应腔体的铜管。
优选的,所述化学气相沉积装置还设置有用于测量反应衬底温度的红外测温仪或热电偶。
优选的,所述反应腔体为金属管道或非金属管道。
优选的,所述反应衬底为硅片、蓝宝石、镍箔、铜箔或反应腔体自身。
本申请提供了一种化学气相沉积装置,其包括反应腔体、阴极、阳极、电源、反应衬底、机械泵、加热装置和冷却装置;本申请提供的化学气相沉积装置通过阳极、阴极的设置产生了直流辉光,而直流辉光产生的等离子体来提高反应气体的分解效率,该装置相比于其它的等离子体辅助化学气相沉积法,一方面产生的等离子体直接作用于反应区域,效果更好;另一方面直流辉光产生等离子体成本较低,适合大规模使用。
附图说明
图1为本实用新型化学气相沉积沉积装置的结构示意图;
图2为本实用新型实施例1生产的石墨烯的扫描电镜照片;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学,未经中国科学技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020609104.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种智能汽车后视镜支架
- 下一篇:一种儿童疝腹壁缝合器
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的